3nm finfet 文章 進入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:搶先臺積電量產(chǎn)
- 三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體制造公司之一,3nm節(jié)點是他們的一個殺手锏,之前一直被良率不行等負面?zhèn)髀劺_,日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓,按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn),比臺積電還要早一些?! ∪涨懊绹偨y(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠,這里是目前全球唯一一個可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過具體是哪款芯片還不得而知?! θ莵碚f,3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵,因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術(shù),三
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Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具
- 上月,三星代工(Samsung Foundry)部門悄然宣布,其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝,可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管,晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。(來自:Applied Materials 官網(wǎng) ,via
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三星正推進3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實現(xiàn)將先于臺積電量產(chǎn)
- 據(jù)國外媒體報道,在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時間上基本能跟上臺積電節(jié)奏的三星電子,在更先進的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn),有報道稱他們正推進在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到,他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過首個大規(guī)模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進一步加強,他們也將擴大供應,確保獲得全球客戶新的訂單,包括美國和歐洲客戶的訂單。外媒的報道顯示,三星電子方面已經(jīng)宣布,他們早期3nm級柵極全能(3GAE)工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息,也就意味著業(yè)界首個3nm制程工藝即將量產(chǎn),將是首個采用全
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5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進節(jié)點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案,運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法,以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設(shè)計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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外媒稱三星3nm工藝良品率可能仍遠不及預期 僅10%-20%
- 據(jù)國外媒體報道,在2月份有報道稱臺積電的3nm工藝遇到良品率難題,可能影響到AMD、英偉達等部分客戶的產(chǎn)品路線圖之后,又出現(xiàn)了三星電子3nm工藝的良品率遠不及預期的消息。韓國媒體的報道顯示,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠不及公司期望的目標,在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。另外,三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。三星電子和臺積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝,并在推進3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商,與臺積電繼續(xù)采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構(gòu)不
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臺積電3nm工廠支援生產(chǎn):5nm訂單激增
- 日前,由于蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科等客戶5nm訂單積累太多,臺積電不得不先把3nm工廠臨時拉出來給5nm擴產(chǎn)。今年有大量芯片會升級5nm工藝或者改進版的4nm工藝,蘋果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max,M2系列很快也要量產(chǎn)了,產(chǎn)能需求很高。 除了蘋果這個VVVIP客戶之外,AMD今年也會有5nm Zen4架構(gòu)處理器及5nm RDNA3架構(gòu)GPU芯片,他們也是最重要的5nm工藝客戶之一。聯(lián)發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器,也是臺積電5nm工藝,投片量也不低,NVIDIA
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臺積電:投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠
- 由于半導體芯片產(chǎn)能緊缺,臺積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元,約合6300多億人民幣,主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠,蓋長的需求太高,現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財訊》報道,這兩年芯片產(chǎn)能緊缺,但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚,連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材,具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點,重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右,是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對臺積電來說,一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚,另一方面它們在當?shù)啬硞€城市建設(shè)晶圓廠,往往還會
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臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上
- 近日,關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息,據(jù)外媒digitimes最新報道,半導體設(shè)備廠商透露,臺積電3納米良率拉升難度飆升,臺積電因此多次修正3納米藍圖。實際上,隨著晶體管數(shù)量的堆積,內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復雜化,3nm工藝制程的良品率確實很難快速提升,達成比較好的量產(chǎn)水平。因此,臺積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個不同良率和制程工藝的技術(shù),以滿足不同廠商的性能需求,正如同去年蘋果在A15上進行不同芯片性能閹割一致,即能滿足量產(chǎn)需求,還能平攤制造成本,保持利潤。此外,還有消息稱臺積電將在2023年第一季度開
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消息稱英特爾計劃與臺積電敲定3nm芯片生產(chǎn)計劃
- 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,英特爾高管正準備訪問芯片代工巨頭臺積電,以求敲定3納米芯片的生產(chǎn)計劃,避免與蘋果公司爭奪產(chǎn)能。最新消息呼應了之前的傳聞,即英特爾正在考慮將生產(chǎn)外包給臺積電,并稱未來幾周雙方將舉行會談。有報道稱兩家公司的高管將在本月中旬會面,專門洽談3nm工藝代工事宜,雙方還將探討2nm工藝的合作。英特爾始終堅持自己制造CPU,但近年來在這方面落后于臺積電,其CPU不僅功耗高,而且效率更低。這促使蘋果致力于逐步淘汰用于Mac的英特爾芯片,并計劃用自主研發(fā)的Apple Silicon取而代之。英特爾是目前
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傳臺積電開始試產(chǎn)3納米芯片,2023年款iPhone有望應用
- 12月3日消息,蘋果芯片制造合作伙伴臺積電目前已經(jīng)開始試產(chǎn)3納米芯片,預計將在明年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn),這種芯片2023年有望出現(xiàn)在蘋果最新款的iPhone智能手機中。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電已在旗下晶圓廠Fab 18廠開始利用3納米制程工藝進行芯片的試生產(chǎn),并計劃在2022年第四季度前實現(xiàn)量產(chǎn)?! ∩显掠袌蟮婪Q,蘋果將在Mac、iPhone和iPad上使用3納米芯片。盡管有傳言稱2022年發(fā)布的iPhone 14會采用3納米芯片,但新報道稱預計將從2023年推出的新款iPhone和Mac開始?! ∧壳?/li>
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決戰(zhàn)3nm —— 三星和臺積電誰會最先沖過終點線?
- 隨著近年來芯片制造巨頭在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯 ,先進制程正成為全球各國科技角力場的最前線。而最新的戰(zhàn)火,已經(jīng)燒到3nm制程。TrendForce數(shù)據(jù)最新顯示,目前臺積電的市場份額接近52.9%,是全球最大的芯片代工企業(yè),而三星位居第二,市場份額為17.3%。在近幾個季度的財報會議上,臺積電總裁魏哲家就透露,3nm晶圓片計劃今年下半年風險試產(chǎn),明年可實現(xiàn)量產(chǎn)。而三星也一直對3nm工藝寄予厚望,不僅在多年前就已開始投入研發(fā)事宜,更在今年上半年宣布預備投入1160億美元研發(fā)和生產(chǎn)3nm制程,以期趕超臺積電
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領(lǐng)先蘋果!Intel 3nm處理器曝光 性能提升10~15%
- 近日,據(jù)最新消息顯示,臺積電供應鏈透露,Intel將領(lǐng)先蘋果,率先采用臺積電3nm制程生產(chǎn)繪圖芯片、服務(wù)器處理器。同時,報告中還顯示,明年Q2開始在臺積電18b廠投片,明年7月量產(chǎn),實際量產(chǎn)時間較原計劃提早一年。 在此之前就有消息稱,Intel已經(jīng)規(guī)劃了至少兩款基于臺積電3nm工藝的芯片產(chǎn)品,分別是筆記本CPU和服務(wù)器CPU,最快2022年底投入量產(chǎn)。按照臺積電之前的說法,相較于5nm,3nm工藝性能提升10~15%,功耗降低了25~30%。 除此之外,
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3nm finfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3nm finfet的理解,并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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