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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
消息稱谷歌第三代 Tensor 處理器將由三星代工,采用 3nm 制程工藝
- 8 月 31 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,谷歌已決定將用于下一代智能手機(jī) Pixel 8 的 Tensor 應(yīng)用處理器,交由三星電子采用 3nm 制程工藝代工,預(yù)計(jì)在明年下半年推出。從外媒的報(bào)道來(lái)看,交由三星電子代工,也將繼續(xù)加強(qiáng)兩家公司在智能手機(jī)應(yīng)用處理器上的合作。谷歌智能手機(jī)此前采用的是高通的處理器,但在三星電子的支持下,他們成功研發(fā)出了 Tensor 處理器,并在 2021 年首次用于 Pixel 6 智能手機(jī)。用于 Pixel 8 的,將是第三代 Tensor 處理器,也是由谷歌和三星電子聯(lián)合研發(fā)的。
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臺(tái)積電魏哲家:3 納米即將量產(chǎn),2 納米保證 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 30 日消息,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào),臺(tái)積電總裁魏哲家今日現(xiàn)身 2022 臺(tái)積電技術(shù)論壇并提到,臺(tái)積電 3 納米思考良久維持 FF 架構(gòu)并即將量產(chǎn),至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會(huì)是最領(lǐng)先技術(shù)。據(jù)悉,臺(tái)積電 2 納米技術(shù)和 3 納米技術(shù)相比,功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下,速度增快 10~15%,或在相同速度下,功耗降低 25~30%。值得一提的是,聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無(wú)線通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡(jiǎn)報(bào),魏哲家眼尖發(fā)現(xiàn)“效能僅提升 2
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預(yù)計(jì)蘋(píng)果新款MacBook Pro與iPad Pro無(wú)緣3nm制程工藝芯片
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,蘋(píng)果在今年下半年將舉行兩場(chǎng)新品發(fā)布會(huì),第一場(chǎng)在9月份舉行,重點(diǎn)是iPhone 14系列智能手機(jī)以及新款A(yù)pple Watch;第二場(chǎng)則將在10月份舉行,以Mac和iPad為主。之前預(yù)測(cè)對(duì)于下半年的第二場(chǎng)新品發(fā)布會(huì),蘋(píng)果將推出的新品預(yù)計(jì)會(huì)有MacBook Pro和iPad Pro,其中MacBook Pro搭載的,預(yù)計(jì)是蘋(píng)果自研、由臺(tái)積電代工采用3nm制程工藝的芯片。但在蘋(píng)果產(chǎn)品預(yù)測(cè)方面有很高準(zhǔn)確性的分析師郭明錤,近日給出了讓外界失望的預(yù)期,蘋(píng)果即將發(fā)布的14/16英寸MacBook Pro
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報(bào)告:蘋(píng)果首款用于 MacBook Pro 的 3nm 芯片有望在今年投產(chǎn)
- IT之家 8 月 22 日消息,Digitimes 報(bào)告稱,臺(tái)積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn) 3nm 芯片,用于即將推出的 MacBook 機(jī)型和其他產(chǎn)品。報(bào)告的付費(fèi)預(yù)覽內(nèi)容中寫(xiě)道:“后端公司對(duì)即將推出的 MacBook 芯片的需求持樂(lè)觀態(tài)度,該芯片將使用臺(tái)積電的 3nm 工藝技術(shù)制造,據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,該芯片將于今年晚些時(shí)候開(kāi)始生產(chǎn)?!辈贿^(guò),至少在 2023 年第一季度之前,臺(tái)積電不太可能從整體 3nm 芯片生產(chǎn)中獲得可觀的收入。這一信息與臺(tái)灣《商業(yè)時(shí)報(bào)》上周的一篇報(bào)道一致,該報(bào)道稱臺(tái)積電將在 2022
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ST和GlobalFoundries在法國(guó)Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn),包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì),該晶圓廠將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)芯片,到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn),每年生產(chǎn)多達(dá)62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國(guó)東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠(yuǎn),長(zhǎng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看,F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法,可以實(shí)現(xiàn)FinF
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三星第二代的3nm GAP工藝將于2024年量產(chǎn):現(xiàn)已有多家用戶洽談
- 在3nm工藝制程方面,三星扳回一局,三星在七月底宣布已有廠家購(gòu)買(mǎi)了自家3nm工藝芯片,而臺(tái)積電要想實(shí)現(xiàn)3nm工藝芯片的量產(chǎn)還需要等半年呢。這意味著三星和臺(tái)積電此次“競(jìng)爭(zhēng)”三星贏了。據(jù)悉,三星的3nm工藝分為了兩代,第一代3nm GAE工藝降低了45%的功耗,同時(shí)性能提升23%。這次量產(chǎn)的就是第一代,不過(guò),第一代3nm工藝還沒(méi)有應(yīng)用到手機(jī)上,它的首個(gè)客戶是中國(guó)礦機(jī)芯片公司。而第二代3nm GAP工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,照比第一代提升不少,但量產(chǎn)的話,需要兩年之后了,也就是2024年。同時(shí)
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三星電子3nm芯片正式出貨 中國(guó)加密貨幣礦機(jī)廠商成為首批用戶
- 7月25日,三星電子于京畿道華城園區(qū)V1線(僅限EVU極紫外光刻)舉辦了基于下一代3nm環(huán)柵晶體管(GAA)技術(shù)的芯片代工產(chǎn)品出貨儀式,開(kāi)始如約向客戶交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯(lián)席CEO兼設(shè)備解決方案部門(mén)(DS)主管慶桂顯(Kye Hyun Kyung)和韓國(guó)工業(yè)貿(mào)易資源部長(zhǎng)李昌陽(yáng)(Lee Chang-yang)在內(nèi),出席了該儀式。隨著3nm制程工藝的量產(chǎn),三星電子開(kāi)啟了晶圓代工業(yè)務(wù)的新篇章。在發(fā)貨儀式上,三星晶圓代工部門(mén)表達(dá)了通過(guò)搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝來(lái)增強(qiáng)其業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力的雄心,以及“將繼
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功耗降低30%:臺(tái)積電3nm工藝已量產(chǎn)
- 芯研所7月22日消息,作為臺(tái)積電的第一大客戶,蘋(píng)果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺(tái)積電新一代工藝,不過(guò)今年的iPhone 14是趕不上臺(tái)積電3nm工藝了。iPhone 14系列無(wú)緣3nm主要是臺(tái)積電的3nm工藝今年進(jìn)度有些晚,上半年沒(méi)能量產(chǎn),拖到下半年,跟不上蘋(píng)果的量產(chǎn)進(jìn)度,不過(guò)最新消息稱3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始投片量產(chǎn),而且在新竹、南科兩個(gè)園區(qū)的工廠同時(shí)量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝。不過(guò)臺(tái)積電官方?jīng)]有確認(rèn)這一消息,臺(tái)積電表示不評(píng)價(jià)市場(chǎng)傳聞。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息,3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N
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3nm芯片挖礦功耗表現(xiàn)公布:能耗大降45%
- 6月底,三星宣布3nm GAA晶體管芯片投產(chǎn),外界稱其首個(gè)客戶是國(guó)內(nèi)的礦機(jī)廠商。隨后外界質(zhì)疑聲不斷,包括三星是為了搶首發(fā)而草草上馬尚未成熟或者說(shuō)良率很低的制程,甚至媒體爆料三星自己的手機(jī)芯片要到2024年才用3nm,而且直接上第二代??赡苁菫榱舜蛳饨绲呢?fù)面情緒,三星晶圓工廠總裁Siyoung Choi博士在一份公開(kāi)的報(bào)告中給出了3nm礦機(jī)芯片的實(shí)測(cè)表現(xiàn),數(shù)據(jù)是可以節(jié)能23~45%。顯然這樣的表現(xiàn)屬實(shí)不錯(cuò),畢竟是結(jié)結(jié)實(shí)實(shí)省電了。一些評(píng)論人士拒絕從礦工減少支出、可爭(zhēng)取更大收益的角度來(lái)看待問(wèn)題,反而強(qiáng)調(diào),這意
- 關(guān)鍵字: 3nm 虛擬貨幣 能耗
中國(guó)廠商成3nm“小白鼠”:三星自家芯片兩年后才用
- 6月30日,三星代工廠和半導(dǎo)體研發(fā)中心的職員齊聚一堂,慶祝公司成為世界首家大規(guī)模投產(chǎn)3nm芯片的半導(dǎo)體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管,雖然三星把3nm看得無(wú)比重要,可BK的報(bào)道稱,三星3nm的首家客戶居然是來(lái)自中國(guó)的一家名為PanSemi(上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司)的礦機(jī)芯片企業(yè)。考慮到當(dāng)前虛擬貨幣慘淡的行情,這筆訂單的量級(jí)肯定不會(huì)大到哪兒去,對(duì)于檢驗(yàn)3nm GAA的成色也不具備充分說(shuō)服力。另一個(gè)有趣的細(xì)節(jié)是,報(bào)道稱,三星自家芯片準(zhǔn)備在2024年才用3nm,而且是第二代,這就
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英特爾或?qū)⑿薷?nm制程生產(chǎn)計(jì)劃 重回巔峰路途漫漫
- 消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì)在8月份前往臺(tái)積電,與臺(tái)積電的高層會(huì)晤,主要是對(duì)明年的3nm產(chǎn)能計(jì)劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計(jì)劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake,并于2023年上半年推出,如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè),臺(tái)積電的3nm制程的計(jì)劃將受到影響。據(jù)報(bào)道,英特爾內(nèi)部已開(kāi)始緊急修正未來(lái)一年的平臺(tái)藍(lán)圖以及自家制程產(chǎn)能計(jì)劃。一直有消息稱,英特爾將使用臺(tái)積電的N3工藝生產(chǎn)GPU,比如獨(dú)立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
- 關(guān)鍵字: 英特爾 3nm 制程
難道是新款麒麟?三星透露3nm芯片新消息,信息量頗大
- 在芯片企業(yè)中,華為海思還是頂流的存在,可以說(shuō),華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋(píng)果A系列并駕齊驅(qū)。甚至可以說(shuō),海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋(píng)果、高通,因?yàn)槭卓?nm 5G Soc就是華為海思推出的,NPU也是華為率先用在處理器中,蘋(píng)果、高通紛紛效仿。然而,誰(shuí)也沒(méi)有想到的是,美多次修改芯片等規(guī)則,導(dǎo)致臺(tái)積電等企業(yè)不能自由出貨,原因是臺(tái)積電等在芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況,臺(tái)積電等積極爭(zhēng)取自由出貨許可,還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù),目的就是盡可能地降低對(duì)美技術(shù)的依賴,從而實(shí)現(xiàn)自由出貨。
- 關(guān)鍵字: 麒麟 三星 3nm
Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì),公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(kù)(library cell)的密度則是2倍,同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo):它滿足開(kāi)發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸(Critic
- 關(guān)鍵字: Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake
三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專家表態(tài):趕鴨子上架、沒(méi)人用的
- 一如之前預(yù)告的那樣,三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn),這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺(tái)積電量產(chǎn),并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝,技術(shù)上也是全面壓制了臺(tái)積電,后者要到2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上GAA工藝。根據(jù)三星所說(shuō),在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構(gòu),采用了新的GAA晶體管架構(gòu),大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比,第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時(shí)提升23%的性能,第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時(shí)面積減少35%,效果更好。對(duì)于三星搶先量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm
三星否認(rèn)“3nm 芯片量產(chǎn)延后”,稱仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)
- 三星電子今日否認(rèn)了韓國(guó)當(dāng)?shù)孛襟w《東亞日?qǐng)?bào)》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報(bào)道?!稏|亞日?qǐng)?bào)》此前報(bào)道稱,由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo),三星3nm量產(chǎn)將再延后?! ∪且晃话l(fā)言人通過(guò)電話表示,三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片。 據(jù)了解到,昨天韓媒BusinessKorea消息稱,三星為趕超臺(tái)積電,加碼押注3nm GAA技術(shù),并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎(chǔ)的2nm芯片?! ∠⒎Q,三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn),成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍,快速縮小與臺(tái)
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3nm finfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm finfet的理解,并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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