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3nm 文章 進(jìn)入3nm技術(shù)社區(qū)
三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm
- 5月28日，三星電子在位于美國(guó)的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！ ?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì)分為 LPE 和 LPP 兩代，不過(guò) 7nm 算是個(gè)例外，沒(méi)有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！ ∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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臺(tái)積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片
- 臺(tái)積電在8月14日宣布，公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來(lái)將會(huì)使用該預(yù)算來(lái)修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃2020年開(kāi)始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?！ 「鶕?jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，臺(tái)灣相關(guān)部門通過(guò)了「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」，這項(xiàng)議案主要是為了臺(tái)積電全新的晶圓制造廠而打造?！ ?jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃2020年開(kāi)始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對(duì)于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺(tái)積
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aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開(kāi)發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅?！ 钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見(jiàn)：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長(zhǎng)Bruno Morel指出?！ ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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張忠謀：3nm晶圓廠2020年開(kāi)建 未來(lái)3年收入增幅都達(dá)5-10％
- 臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露，臺(tái)積電將在2020年開(kāi)工建設(shè)3nm工藝晶圓廠，但不會(huì)去美國(guó)設(shè)廠，而是堅(jiān)持留在中國(guó)臺(tái)灣本土，確切地說(shuō)是在南部科技園區(qū)。 張忠謀提出，臺(tái)積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問(wèn)題，并提供全力協(xié)助。 按照張忠謀此前的說(shuō)法，3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過(guò)200億美元，同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠，拉動(dòng)臺(tái)南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。 他沒(méi)有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn)，但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn)，最快也得是2023年的事兒了。
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臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲？
- 10月7日，芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀透漏，臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè)，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。 2016年末至2017年初，三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝，穩(wěn)占手機(jī)芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯(cuò)失了市場(chǎng)先機(jī)。即使后來(lái)推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電，但是對(duì)于整體市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，并沒(méi)有太大影響。 臺(tái)積電面臨的局勢(shì) 臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、
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張忠謀:3nm制程會(huì)出來(lái) 2nm后很難
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續(xù)10年，3nm制程應(yīng)該會(huì)出來(lái)，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺(tái)時(shí)，兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論，他當(dāng)時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹(jǐn)慎回答，大概還有10年。 現(xiàn)在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出，目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示，臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì)出來(lái)，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來(lái)也是會(huì)出來(lái)。 張忠謀
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臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光（EUV）微影設(shè)備
- 極紫外光(EUV)微影設(shè)備無(wú)疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備，由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。 EUV設(shè)備賣價(jià)極高，原因是開(kāi)發(fā)成本高，因此早期ASML為了分?jǐn)傞_(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開(kāi)發(fā)完成，臺(tái)積電后來(lái)全數(shù)出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。 有別于過(guò)去半導(dǎo)體采用浸潤(rùn)式曝光機(jī)，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長(zhǎng)縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設(shè)備是利
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臺(tái)灣：AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)
- 人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn)，工研院 IEK 計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨表示，AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機(jī)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大，芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中，數(shù)據(jù)收集方面，因需要大量運(yùn)算，應(yīng)在云端進(jìn)行。 決策方面，目前各國(guó)仍以云端發(fā)展為主，楊瑞臨表示，未來(lái)決策能否改由終端執(zhí)行，是各界視為臺(tái)灣發(fā)展 AI 的一大機(jī)會(huì)。 只是無(wú)人機(jī)、自駕車、機(jī)器人與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/擴(kuò)增實(shí)境
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臺(tái)灣：臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然
- 近期因限電危機(jī)，傳出臺(tái)積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國(guó)投資，臺(tái)灣“行政院長(zhǎng)”林全表示，「臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然的」，現(xiàn)在的問(wèn)題只是落腳哪里。 林全表示，包括臺(tái)南、高雄都拚命爭(zhēng)取臺(tái)積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒(méi)有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營(yíng)成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛(ài)臺(tái)積電一家公司，林全反駁，政府對(duì)企業(yè)是「一視同仁的，不會(huì)有差別待遇」。 他以臺(tái)塑為例表示，臺(tái)塑遇到最大的挫折就是環(huán)評(píng)被退回，因此他去年上任后就
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臺(tái)積電公開(kāi)回復(fù)：東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址
- 臺(tái)積電13日的法說(shuō)會(huì)中，針對(duì)近期兩大熱門議題：日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競(jìng)標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址，一一對(duì)外界做最新的回覆。 自從臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀公開(kāi)表示，考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競(jìng)標(biāo)案后，臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注，尤其參與競(jìng)標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 臺(tái)積電13日指出，內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過(guò)該案，但最后決定不去參與競(jìng)標(biāo)，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
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英特爾7億美金建廠美國(guó) 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國(guó)設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng)，且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。 擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 臺(tái)媒引述指出，臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無(wú)法配合臺(tái)積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。 臺(tái)積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問(wèn)題，臺(tái)積電重申，考慮設(shè)廠地點(diǎn)，水、電、土地、人才，
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3nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm的理解，并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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