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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm

          三星率先發(fā)布3nm芯片,日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm

          • 關(guān)于芯片,大多數(shù)小伙伴了解到的,當(dāng)下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm,當(dāng)然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米,甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位,可誰也沒想到的是,三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上,三星首發(fā)應(yīng)用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片,將半導(dǎo)體工藝再度推上一個進(jìn)程,國際固態(tài)電路大會我在之前的視頻里提到過好多次,是世界最權(quán)威的行業(yè)會議,所以這也證明的三星的技術(shù)實力真的很強。而我國目前在生產(chǎn)工藝上,最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實現(xiàn)7nm試
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  

          臺積電 3nm 制程本月已試產(chǎn),量產(chǎn)時程將提前

          • 3月30日消息去年 8 月,臺積電總裁魏哲家在臺積電技術(shù)論壇上表示,3nm 預(yù)計 2021 年試產(chǎn),將于 2022 年下半年量產(chǎn)?! ?jù)財聯(lián)社,供應(yīng)鏈消息傳出,臺積電 3nm 制程進(jìn)展順利,試產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期,已于 3 月開始風(fēng)險性試產(chǎn)并小量交貨。  臺積電對此消息回應(yīng)稱,不評論市場傳聞?!   T之家了解到,臺積電董事長劉德音此前透露 3nm 按計劃時程發(fā)展,進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前?! ?jù)臺媒Digitimes 此前報道,臺積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程,原本預(yù)計 2021 年第四季度試產(chǎn),2
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  

          臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁

          • 近期臺積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項突破?! ∧壳笆謾C開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預(yù)計將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點工藝制造,預(yù)計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn),并且進(jìn)一步到2nm工藝,這都只是時間問題?!   ?jù)Wccftech報道,為了更好地達(dá)成這些目標(biāo),臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標(biāo)而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  蘋果  2nm  3nm  

          臺積電今年提前投產(chǎn)3nm:Intel也要用!

          • 在新制程工藝推進(jìn)速度上,臺積電已經(jīng)徹底無敵,Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。據(jù)最新消息,臺積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝,雖然只是風(fēng)險性試產(chǎn)和小規(guī)模量產(chǎn),但也具有里程碑式的意義。很自然的,臺積電會在明年大規(guī)模量產(chǎn)3nm,初期產(chǎn)能每月大約3萬塊晶圓,到了2023年可達(dá)每月10.5萬塊晶圓,趕上目前5nm的產(chǎn)能,而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬塊晶圓。根據(jù)臺積電數(shù)據(jù),3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管,但是相比于5nm晶體管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%。據(jù)悉,蘋果將是臺積
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  Intel  

          消息稱臺積電將量產(chǎn)3nm芯片:性能、功耗大幅優(yōu)于5nm

          • 據(jù)外媒最新消息稱,臺積電有望在2022年下半年開始啟用3nm制造工藝,屆時該晶圓廠將有能力處理3萬片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。據(jù)報道,得益于蘋果的訂單承諾,臺積電計劃在2022年將3nm工藝的月產(chǎn)能擴大到5.5萬片,并將在2023年進(jìn)一步擴大產(chǎn)量至10.5萬片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺積電計劃在今年全年擴大5nm工藝的制造能力,以滿足主要客戶日益增長的需求。根據(jù)今天的報告,臺積電將在2021年上半年將規(guī)模從2020年第四季度的9萬片提升至每月10.5萬片,并計劃在今年下
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  

          5nm?3nm?芯片制程的極限究竟在哪里?

          • 現(xiàn)在的集成電路制造技術(shù)其核心就是光刻技術(shù),這種方法與照相類似,就是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的硅片上。
          • 關(guān)鍵字: 5nm  3nm  芯片制程  

          CES上演芯片競賽 英特爾CEO司睿博:我們不是守成派

          • 巨頭們進(jìn)一步更新自家產(chǎn)品線?! ?月11-14日,CES消費電子展在線上拉開2021年科技界的序幕,除了機器人、可穿戴、未來電視等終端產(chǎn)品之外,核心的芯片廠商也亮出大招,展開新一代處理器的軍備競賽?! ∑渲?,英特爾在CES發(fā)布會上猛秀技術(shù)肌肉,推出了四大全新處理器家族,主要面向PC端的商用、教育、移動和游戲計算領(lǐng)域,一共涉及50多款處理器產(chǎn)品,并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺式機。其中就包括第11代酷睿S系列臺式機處理器(代號 “Rocket Lake-S”)及其下一代處理器(代號
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  英特爾  

          臺積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時間或?qū)⑼七t

          • 據(jù)臺媒報道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前,按臺積電公布的計劃,3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺積電3nm初期產(chǎn)能,成為臺積電3nm的第一批客戶。此前業(yè)界預(yù)計臺積電和三星的3nm工藝都會在2022年實現(xiàn)量產(chǎn),而臺積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺積電曾宣稱,其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。臺積電20
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  三星  3nm  

          才用上5nm芯片!3nm就要來了?

          • 外媒報道,臺積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。不過,臺積電依然計劃,今年3nm工藝將完成試生產(chǎn),并預(yù)計2022年批量投入生產(chǎn)。三星采用的是“GAAFET”架構(gòu),業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為它可以更精確控制跨通道的電流,并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構(gòu)以用于其3nm制程。截止目前,有報道稱,蘋果已經(jīng)占據(jù)了臺積電的3nm工藝訂單中的很大一部分,意味著蘋果會成為臺積電3nm工藝的首批客戶之一。若3nm工
          • 關(guān)鍵字: 5nm  3nm  臺積電  

          臺積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝:蘋果首發(fā)

          • 臺積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸,無可阻擋(當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不住),今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝,而接下來的重大節(jié)點就是3nm,早已宣布會在2022年投入規(guī)模量產(chǎn)。今天,臺積電又宣布,將會在2023年推出3nm工藝的增強版,命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶是蘋果。如果蘋果繼續(xù)一年一代芯片,那么到2023年使用3nm Plus工藝的,將會是“A17”。臺積電沒有透露3nm Plus相比于3nm有何變化,但是顯然會有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運行頻率。按照臺積電的說法,3nm工藝相比于5nm可帶來最
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm Plus  蘋果  

          外媒:臺積電3nm工藝有望獲得英特爾訂單

          • 9月28日消息,據(jù)國外媒體報道,在此前的報道中,外媒曾提到,考慮由其他廠商代工芯片的英特爾,已經(jīng)將2021年18萬片晶圓GPU的代工訂單交給了臺積電,將采用后者的6nm工藝。而外媒最新的報道顯示,除了18萬片晶圓GPU的代工訂單,臺積電尚未投產(chǎn)的3nm工藝,也有望獲得英特爾的訂單。外媒在報道中表示,臺積電的3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,首波產(chǎn)能中的大部分將留給大客戶蘋果,后3波產(chǎn)能也將被眾多廠商預(yù)訂,其中就包括英特爾。產(chǎn)能預(yù)訂者中將有英特爾,也就意味著在外媒看來,臺積電的3nm工藝,將獲得英特爾的訂單。不過,
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  英特爾  

          華為無緣:消息稱臺積電3nm首波產(chǎn)能基本都是蘋果的

          • 對于華為來說,美國將禁令升級后,對它們自研麒麟芯片打擊是最直接的,也難怪余承東會說,麒麟9000(基于臺積電5nm工藝)會是華為高端芯片的絕版。據(jù)最新消息稱,在5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝,就將是3nm,目前正在按計劃推進(jìn),計劃在2021年開始風(fēng)險試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。據(jù)悉,臺積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,其中首波產(chǎn)能中的大部分,將留給他們的大客戶蘋果。臺積電目前正在按計劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn),設(shè)定的產(chǎn)能是每月5.5萬片晶圓。但知情人士也
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  華為  

          跳過5nm 臺積電透露Graphcore下一代IPU將基于3nm工藝研發(fā)

          • 據(jù)國外媒體報道,5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)之后,臺積電下一代工藝研發(fā)的重點已轉(zhuǎn)移到了3nm,目前正在按計劃推進(jìn),計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。在2020年度的臺積電全球技術(shù)論壇上,他們也提到了3nm工藝,披露了3nm工藝的性能提升信息。外媒最新的報道顯示,在介紹3nm的工藝時,臺積電重點提到了為人工智能和機器學(xué)習(xí)研發(fā)加速器的半導(dǎo)體廠商Graphcore。臺積電透露,Graphcore用于加速機器學(xué)習(xí)的下一代智能處理單元(IPU),將基于臺積電的3nm工藝研發(fā),越過5nm工藝。Gra
          • 關(guān)鍵字: 5nm  臺積電  Graphcore  IPU  3nm  

          臺積電確認(rèn)正研發(fā)3nm和4nm工藝:功耗降低30%、2022年量產(chǎn)

          • 在臺積電第26屆技術(shù)研討會上,臺積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中,且5nm還將在明年推出N5P增強版外,更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。技術(shù)指標(biāo)方面,3nm(N3)將在明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm,3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm(N4)同樣定于明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶來說,將能非常平滑地過渡到N4,也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當(dāng)
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  4nm  

          臺積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍

          • 據(jù)國外媒體報道,正如外媒此前所預(yù)期的一樣,芯片代工商臺積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上,披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇,是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇,論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息,但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下,外界最期待的還是5nm之后的下一個全新工藝節(jié)點3nm工藝。在今天的論壇上,臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會采用三星計劃在3nm工藝節(jié)點上使用的
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  5nm  晶體管  
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