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          600v氮化鎵(gan)功率器件 文章 進入600v氮化鎵(gan)功率器件技術(shù)社區(qū)

          重磅消息!深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動

          •   3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義,將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠影響?! 】萍疾吭辈块L、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林,廣東省委常委、深圳市委書記王偉中,深圳市委副書記、市長陳如桂,科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
          • 關(guān)鍵字: 青銅劍科技  半導(dǎo)體  碳化硅  功率器件  

          新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

          • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件,面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊,可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  電源管理  201804  

          受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

          •   相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。        此外,除了輕化車輛設(shè)計之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)

          •   日前,《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術(shù),“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。   什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?        中國自動化學(xué)會混合智能專委會副主任、中國人工智能學(xué)會機器學(xué)習(xí)專委會常委、復(fù)旦大學(xué)博士生導(dǎo)師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。   故事中的GAN
          • 關(guān)鍵字: 對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)  GAN  

          AI版“雙手互搏”有多牛?

          • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?
          • 關(guān)鍵字: AI  GAN  

          GaN是5G最好選擇 手機端應(yīng)用現(xiàn)實嗎?

          •   超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度,可實現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升,并且?guī)砜捎^的容量增長,未來隨著基站數(shù)量的增加,基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測,射頻前端的市場規(guī)模預(yù)估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測,全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。   Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉   有業(yè)內(nèi)分析師就表示,3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS,同時,GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

          •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

          •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
          • 關(guān)鍵字: TI  GaN  

          2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

          •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習(xí)工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
          • 關(guān)鍵字: 機器學(xué)習(xí)  GAN  

          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

          •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
          • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          MSP430程序升級方案

          • MSP430程序升級方案-  對MSP430系列單片機進行編程的方式有以下3種:利用JTAG接口,利用BSL固件和利用用戶自定義的升級固件。由于利用自定義升級固件進行程序升級的方式比較靈活,且用途廣泛,因此本文將對其作重點介紹。
          • 關(guān)鍵字: MSP430  單片機  功率器件  

          變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

          • 變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-  變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關(guān)器件同一時間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見到的故障,解決這種問題只有查到損壞的根本原因,并首先消除再次損壞的可能,才能更換逆變模塊,否則換上去的新模塊會再損壞。
          • 關(guān)鍵字: 變頻器  逆變器  功率器件  
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          600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

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          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對600v氮化鎵(gan)功率器件的理解,并與今后在此搜索600v氮化鎵(gan)功率器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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