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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵(gan)功率器件

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】功率器件在Boost電路中的應(yīng)用

          •   風(fēng)能、太陽能等新能源均需經(jīng)過電力電子變換才能接入電網(wǎng),隨著新能源發(fā)電量的逐年攀升,市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進(jìn)。作為傳統(tǒng)電力電子變換的開關(guān)器件,Si IGBT已難以滿足需求,而新型半導(dǎo)體器件SiC MOSFET具有更好的性能,被普遍認(rèn)為是新一代的功率器件?! τ陔娏﹄娮幼儞Q器而言,SiC MOSFET可作為開關(guān)器件使用。而在電力電子變換器中,升降壓斬波電路是最基本的電路結(jié)構(gòu),以此為基礎(chǔ)可擴(kuò)展出各類電力電子變換器。因此,這里以升壓變換
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  Boost  

          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

          •   MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用  用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司
          • 關(guān)鍵字: GaN  MACOM  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場。   可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達(dá)電技術(shù)長暨總
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          日本設(shè)立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程

          •   據(jù)報道,共同研究室預(yù)計將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。   據(jù)了解,“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍(lán)色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合,加快研發(fā)進(jìn)程。   天野是小出在名古屋大學(xué)念書時低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎)門下一同進(jìn)行
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  功率器件  

          松下:力推阻容元件與開發(fā)工具,開關(guān)器件X-GaN效率更高

          •   松下被動元件展區(qū),松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團(tuán)隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?! K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。  松下集團(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
          • 關(guān)鍵字: 松下  X-GaN  

          最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

          •   實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。   該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級設(shè)計,通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  

          半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

          • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移,這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場上攻城拔寨。
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          如何應(yīng)對GaN測量挑戰(zhàn)

          • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強(qiáng)烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
          • 關(guān)鍵字: GaN    測試  

          新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

          • 摘要:分析新型SiC功率器件在實際應(yīng)用中的基本特性,以升壓斬波電路為載體,通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關(guān)特性的影響,以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時,以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  升壓斬波電路  柵極電阻  

          中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

          •   中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日,中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林,廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生,市委副書記、市長梁維東,國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。   副市長楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。   為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  GaN  

          幾種直流電機(jī)驅(qū)動電路圖及設(shè)計思路

          •   本文為您詳細(xì)介紹直流電機(jī)驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項,低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。        以上是直流電機(jī)驅(qū)動電路圖,下面為您詳細(xì)介紹直流電機(jī)驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項,低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。   一、 直流電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計目標(biāo)   在直流電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計中,主要考慮一下幾點(diǎn):   1. 功能:電機(jī)是單向還是雙向轉(zhuǎn)動?需不需要調(diào)速?對于單向的電機(jī)驅(qū)動,只要用一個大功率三極管或場效應(yīng)管或繼電器直接帶動電機(jī)
          • 關(guān)鍵字: PWM  功率器件  

          Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長可期

          •   隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后,國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。        Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall   透過臺積電以六寸晶圓廠的技術(shù),Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
          • 關(guān)鍵字: Dialog  GaN  
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          600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

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