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          電源DDR硬件設(shè)計(jì)技巧

          • 1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專門的VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮電壓、電流是否滿足要求。電源的上電順序和電源的上電時(shí)間,單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時(shí),如果有一個(gè)完整的電源平面
          • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計(jì)  DDR  

          雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存簡(jiǎn)介

          • 了解雙數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用,其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì),并且在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著,足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的,從而可以將其作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是并行數(shù)據(jù)傳輸仍然普遍存在的一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。由于它們可以同時(shí)讀取和寫入許多數(shù)字信號(hào),并行接口速度很快,設(shè)計(jì)師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱為雙泵浦,而這一特性正是將存儲(chǔ)器系
          • 關(guān)鍵字: 雙倍數(shù)據(jù)速率,DDR  

          存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品

          • 近日,存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng),展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn),并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案,分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案;使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM;支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組;可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組,并攜手MemVerg
          • 關(guān)鍵字: DDR  美光科技  HBM  

          集邦咨詢:存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

          • 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期,2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì),存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求,存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期;HBM加速邁進(jìn),HBM3/HBM3e持續(xù)突破,有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù),再到今年躍升主流的DDR5,和即將到來(lái)的DDR6、DDR7,DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DDR  HBM  

          2024年,存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!

          • 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期,2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì),存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求,存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期;HBM加速邁進(jìn),HBM3/HBM3e持續(xù)突破,有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù),再到今年躍升主流的DDR5,和即將到來(lái)的DDR6、DDR7,DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
          • 關(guān)鍵字: DDR  GDDR6  HBM  

          DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          • 1. 電源 DDR的電源可以分為三類:a主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時(shí)間,單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時(shí),如果有一個(gè)完整的電源平
          • 關(guān)鍵字: DDR  內(nèi)存  

          你所需要知道的HBM技術(shù)

          • 在2024年即將到來(lái)之際,多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè),認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?;仡?023年,年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮,不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用,這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域,根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2023年和2024年,AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí),也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求。 HBM是何方神圣? 首先,我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
          • 關(guān)鍵字: HBM  DDR  AI  GPU  美光  海力士  

          ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

          • 簡(jiǎn)單解釋ROMROM:只讀存儲(chǔ)器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí),計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過(guò)cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲(chǔ)器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
          • 關(guān)鍵字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

          燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

          • 一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive(真自適應(yīng))兩項(xiàng)技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署,將為客戶帶來(lái)更高效、更穩(wěn)定的全新體驗(yàn)。 Zero-Latency (零延遲) 技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上,采用了兩種可選的、獨(dú)特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)鐘域轉(zhuǎn)換,此技術(shù)將延遲降低
          • 關(guān)鍵字: 燦芯  DDR  IP  

          三維封裝DDR2存儲(chǔ)器VD2D4G72XB191XX3U6測(cè)試

          • DDR2 SDRAM具有速度快、價(jià)格便宜、容量大的特點(diǎn),應(yīng)用非常廣泛。通過(guò)采用三維封裝技術(shù)將5片數(shù)據(jù)位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個(gè)存儲(chǔ)模塊VD2D4G72XB191XX3U6,在不額外占用PCB面積的情況下,提高了存儲(chǔ)容量,并將位寬擴(kuò)展到72 bits。
          • 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM  Magnum 2測(cè)試系統(tǒng)  VD2D4G72XB191XX3U6  202205  

          7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

          •   DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久,從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz,一直到工藝與電路架構(gòu)升級(jí)后,現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以說(shuō)這十年以來(lái),DDR4內(nèi)存的頻率也是有了快翻倍的提升?! 《涨?,有超頻愛(ài)好者將DDR4內(nèi)存的頻率超頻至7200MHz,打破了世界紀(jì)錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創(chuàng)造,超頻內(nèi)存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內(nèi)存,組成16GB雙通道。為了能讓內(nèi)存實(shí)現(xiàn)如此高頻
          • 關(guān)鍵字: DDR    

          NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗(yàn)證DesignWare DDR IP核

          • 重點(diǎn):高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無(wú)與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個(gè)通道多個(gè)DIMM,滿足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和內(nèi)存容量要求基于固件的現(xiàn)場(chǎng)可升級(jí)訓(xùn)練可提高通道的穩(wěn)定性和可靠性,并且有助于算法更新,從而降低采用新內(nèi)存協(xié)議的風(fēng)險(xiǎn)新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門Mellanox將采用經(jīng)驗(yàn)證的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核,以滿足其針對(duì)高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用的Infin
          • 關(guān)鍵字: 云計(jì)算  NVIDIA  新思科技  DesignWare DDR  IP核  

          燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

          • 國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片(ASIC)設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”)近日對(duì)外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM)是計(jì)算機(jī)的一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,即使在遇到供電不穩(wěn)、系統(tǒng)崩潰或正常關(guān)機(jī)等斷電情況時(shí)仍保留其內(nèi)容。NVDIMM可快速恢復(fù)現(xiàn)場(chǎng),提高應(yīng)用程序性能,數(shù)據(jù)安全性和系統(tǒng)崩潰修復(fù)時(shí)間,加強(qiáng)了固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)的耐用性和可靠性。當(dāng)前,大多數(shù)NVDIMM控制器采用F
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          宏旺半導(dǎo)體ICMAX置辦全自動(dòng)化大型DDR測(cè)試機(jī)臺(tái) 填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白

          • 在國(guó)內(nèi)疫情尚還未完全好轉(zhuǎn)的情況下,全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛,更是給全球半導(dǎo)體領(lǐng)域投下了“重磅炸彈”。
          • 關(guān)鍵字: 宏旺半導(dǎo)體  DDR  ICMAX  

          基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)??梢蕴峁┐笕萘康拇鎯?chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過(guò)計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀
          • 關(guān)鍵字: SDRAM  FPGA  數(shù)字電視信號(hào)  采集系統(tǒng)  
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          ddr-sdram介紹

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