finfet 文章 進(jìn)入finfet技術(shù)社區(qū)
英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵
- 在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細(xì)介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應(yīng)晶體管 （FinFET） 結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長一段時間內(nèi)對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱為偶極子功
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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晶體管進(jìn)入納米片時代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設(shè)計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測精度
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是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程
- ●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設(shè)計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計效率，實現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭
- 近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著時間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設(shè)計方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達(dá)成兩項關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
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5nm及更先進(jìn)節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點FinFET設(shè)計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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為技術(shù)找到核心 多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片
- 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進(jìn)來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導(dǎo)入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來?！备鶕?jù)之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合
- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
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finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C(jī)設(shè)計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]
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