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倒計(jì)時(shí)5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)
- （一）會(huì)議概況2024中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨第四屆IC應(yīng)用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF）暨汽車電子應(yīng)用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會(huì)共設(shè)2場高峰論壇、8場專題分會(huì)（含1場供需對接+1場強(qiáng)芯發(fā)布），150場報(bào)告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機(jī)應(yīng)用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會(huì)。會(huì)議看點(diǎn)1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規(guī)模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲
- 關(guān)于射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動(dòng)效果時(shí)，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象?？茖W(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計(jì)中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設(shè)計(jì)中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強(qiáng)調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個(gè)例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析我們通常用
- 關(guān)鍵字： 噪聲系數(shù)度量，射頻電路，噪聲，RF
單級小信號 RF 放大器設(shè)計(jì)
- 本文要點(diǎn)：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱為
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東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護(hù)功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產(chǎn)品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產(chǎn)品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護(hù)供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標(biāo)準(zhǔn)物理熔斷器無法做到的。即使發(fā)生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產(chǎn)品還具有過熱保護(hù)和短路保護(hù)功能，當(dāng)電路產(chǎn)生異常熱量或發(fā)生意外短路時(shí)，可通
- 關(guān)鍵字： 東芝 電子熔斷器 eFuse IC
RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
- 關(guān)鍵字： ADI RF ADC
Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術(shù)
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國市場供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
- 關(guān)鍵字： Guerrilla RF Gallium GaN
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關(guān)鍵字： 西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
- 關(guān)鍵字： 純化合物 半導(dǎo)體 RF GaN
西門子推出 Solido IP 驗(yàn)證套件，為下一代 IC 設(shè)計(jì)提供端到端的芯片質(zhì)量保證
- ●? ?西門子集成的驗(yàn)證套件能夠在整個(gè)IC設(shè)計(jì)周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證，為IP開發(fā)團(tuán)隊(duì)提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗(yàn)證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲(chǔ)器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計(jì)視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
- 關(guān)鍵字： 西門子 Solido IP IC設(shè)計(jì) IC 設(shè)計(jì)
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
- 關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營收
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 3D IC
如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字： 3D-IC
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺(tái)灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū)，而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外，KnometaResearch預(yù)計(jì)，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺(tái)灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓 半導(dǎo)體市場
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