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	arm匯編u-boot-nand-spl啟動過
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章
                  進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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          • 關鍵字：
                        NAND  magnum                           
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          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  RAM                          
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          Nand Flash編程應用難點淺析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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          • 關鍵字：
                        Nand Flash  東芝                          
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          3D NAND微縮極限近了嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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          • 關鍵字：
                        3D NAND  摩爾定律                          
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          群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應求
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應求。
　　臺灣東芝先進半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內存株式會社當選。
　　潘健成表示，東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術，雙方關系將比過去15年更加緊密，在產業(yè)的競
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          • 關鍵字：
                        NAND                          
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          2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉為平衡
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉為供需平衡。
　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
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          • 關鍵字：
                        NAND  西數(shù)                          
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          NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會議內容整理了國內外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
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          • 關鍵字：
                        閃存  NAND  3D Xpoint  201710                          
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          2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應用等，參會觀眾超
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          • 關鍵字：
                        NAND  閃存                          
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          東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產能追趕三星
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產能與技術上力拼三星。
　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產業(yè)革新機構(INCJ)財團、
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          • 關鍵字：
                        3D NAND  東芝                          
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          東芝半導體如此多嬌，引無數(shù)科技大佬競折腰
          
                                                            
            
                    	
          • 到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產品和技術有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說明。
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          CFM：原廠加碼投資擴產64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內外產業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領導?！　‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
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          • 關鍵字：
                        NAND  閃存                          
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          莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍
          
                                                            
            
                    	
          • 　　與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
　　01引言
　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：
　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進步
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          狂掃全球硅晶圓產能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產能需求做準備。
　　三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
　　波瀾的背后
　　據(jù)2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產品生產需求旺盛，同時其
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。
　　DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉進垂直堆棧
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          • 關鍵字：
                        NAND  東芝                          
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