arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區(qū)

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

　　開(kāi)年以來(lái)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團(tuán)表示，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器芯片工廠專(zhuān)案投資規(guī)模過(guò)大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入，時(shí)機(jī)不成熟，停止收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動(dòng)能，但
關(guān)鍵字：摩爾定律 NAND

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢(shì)最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。業(yè)界指出，未簽訂長(zhǎng)約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問(wèn)題更嚴(yán)重。　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
關(guān)鍵字： NAND DRAM

各家爭(zhēng)鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭(zhēng)再掀戰(zhàn)火

　　在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢(shì)。　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo)，在本屆大會(huì)上，三星電子(Samsung Electr
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

3D NAND究竟出了什么問(wèn)題？

3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

具有劃時(shí)代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

　　對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，微芯片是一些長(zhǎng)著小小的金屬針，標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對(duì)那些懂的人來(lái)說(shuō)，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對(duì)整個(gè)計(jì)算環(huán)境造成了長(zhǎng)期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o(jì)念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個(gè)“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
關(guān)鍵字： FPGA NAND

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

　　三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)。　　三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開(kāi)始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。　　三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
關(guān)鍵字： V-NAND NVMe

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒容量高達(dá)1Tb

　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢(shì)，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。　　在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。　　其
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

東芝傳計(jì)劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

　　日刊工業(yè)新聞7日?qǐng)?bào)導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計(jì)劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計(jì)于2018年度動(dòng)工、 2021年度啟用，總投資額將達(dá)1兆日?qǐng)A的規(guī)模。東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專(zhuān)用廠房「第6廠房」。　　該座3D NAND新工廠興建計(jì)劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡(jiǎn)稱TMC)」負(fù)責(zé)
關(guān)鍵字：東芝 NAND

存儲(chǔ)器分類(lèi)匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫(xiě)，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別。　　SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做C
關(guān)鍵字： DRAM NAND

半導(dǎo)體人才流失中國(guó)，三星呼吁韓國(guó)政府幫忙

　　根據(jù)韓國(guó)英文媒體《The Korea Times》的報(bào)導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國(guó)政府喊話，要韓國(guó)政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問(wèn)題。　　報(bào)導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門(mén)的權(quán)五鉉，日前在一項(xiàng)公開(kāi)演講中指出，韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。不過(guò)，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問(wèn)題。權(quán)五鉉進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國(guó)政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
關(guān)鍵字：三星 NAND

解讀：上半年中國(guó)固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域SSD強(qiáng)勁需求，2017年上半年NAND Flash價(jià)格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計(jì)，NAND Flash價(jià)格累計(jì)漲幅達(dá)26%，消費(fèi)類(lèi)每GB銷(xiāo)售價(jià)格突破了0.3美金。　　 ? 　　2017年上半年，中國(guó)市場(chǎng)智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價(jià)格持續(xù)走高，高價(jià)壓力下的SSD市場(chǎng)呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)的關(guān)注度有所回升。　　 ? 　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND

ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

　　IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。　　不過(guò)因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當(dāng)高。　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片

　　韓國(guó)三星電子有限公司本周二表示，計(jì)劃在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。　　近年來(lái)，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來(lái)推動(dòng)NAND閃存的
關(guān)鍵字： NAND 三星

ICinsights:DRAM、NAND漲勢(shì)第四季微幅逆轉(zhuǎn)

　　ICinsights認(rèn)為，全球內(nèi)存下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。　　盡管漲勢(shì)減緩，但DRAM與NAND今年?duì)I收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價(jià)快速上漲之賜。以DRAM為例，DRAM平均售價(jià)今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%，此為1993年有記錄以來(lái)之最。　　內(nèi)存價(jià)格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動(dòng)能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù)，為這波正向循環(huán)劃下休止符。　　ICinsights指出，隨著價(jià)格走揚(yáng)，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
關(guān)鍵字： DRAM NAND

KBS：聚焦韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國(guó)平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個(gè)同盟，將投標(biāo)收購(gòu)日本東芝的內(nèi)存部門(mén)。今天，我們邀請(qǐng)到了韓國(guó)真好經(jīng)濟(jì)研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。　　根據(jù)IT市場(chǎng)研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場(chǎng)上的份額為35.4%。這個(gè)數(shù)字具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但平澤半導(dǎo)體廠
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

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