2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨;不過，對于資金拮據(jù)的DRAM廠，1臺要價近1億美元的EUV機臺，將會是更大的資金挑戰(zhàn)，目前僅瑞晶下單訂購1臺，藉以確保20納米工藝的參賽權。
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ASML EUV光刻機
歐洲最大的半導體設備制造商荷蘭阿斯麥控股公司(ASMLHolding NV)發(fā)布第四季度財報，由于2010年銷量創(chuàng)歷史記錄，其第四季度利潤超過之前分析師預測。
阿斯麥報道稱，公司第四季度凈利潤為4.07億歐元(5.49億美元)，而去年同期僅為5.05千萬歐元。此前彭博社對11位分析師預測統(tǒng)計，平均預測其第四季度凈利潤為3.258億歐元。此外，公司第四季度凈銷售額上升至15.2億歐元，高于此前預測的13.4億歐元。
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ASML 半導體設備
道瓊社、Thomson Reuters報導，歐洲半導體設備業(yè)龍頭ASML Holding NV財務長Peter Wennink 19日在摩根士丹利年度科技媒體電信(TMT)大會上表示，明年度半導體業(yè)的資本支出將增加，該公司客戶的需求強勁使得前置時間達10個月。Wennink也預期明年度NAND市場將成長，邏輯、晶圓銷售額將大幅擴增，不過DRAM銷售額則將下滑。Wennink同時指出，將藉由買回自家股票與配發(fā)股利的方式把多余的現(xiàn)金返還股東。
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ASML 半導體
ASML公司于10月13日公布其未經(jīng)審計的Q3業(yè)績
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ASML 光刻
ASML公司于10月13日公布其未經(jīng)審計的Q3業(yè)績，ASML預計其Q4的銷售額達13億歐元，并確認2010年的銷售額將比歷史上最高的38億歐元，高出10-15%。公司預期其Q4的毛利率在44%左右。研發(fā)費用增加到1.4億歐元及銷售管理費用在5000萬歐元。
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ASML Q3
據(jù)內存業(yè)者透露，由于著名光刻設備廠商ASML生產的NXT:1950i沉浸式光刻機目前供貨十分緊缺，因此臺系內存芯片廠商收到所訂購的這種設備的時間 可能會再后延12個月之久，由于NXT:1950i沉浸式光刻機對這些廠商轉移到38nm以上級別制程至關重要，因此預計臺系內存芯片廠商制程轉換的進度 會受到較大的影響。NXT:1950i 是荷蘭ASML公司最新開發(fā)的沉浸式光刻機，可用于制造12英寸32nm及以上級別制程的產品.
此前曾有報道稱 NXT:1950i的訂貨至到貨日期已經(jīng)被拉長到了將近12個月，
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ASML 光刻機 內存芯片
市場研究業(yè)者iSuppli警告，由于動態(tài)隨機存取內存(DRAM)芯片的制造產能有限，DRAM市場下半年可能供不應求。
分析師霍華德(Mike Howard)預期，今年DRAM芯片出貨量可望成長49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預測，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時供應DRAM芯片的產能恐難以負荷。
iSuppli指出，有兩個問題可能影響下半年的DRAM供應量，甚至恐會造成供不應求。首先，由于全球最大半導體微影工具供貨商艾斯摩爾
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ASML DRAM
對于內存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產品投產準備時間加長，產品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內存廠商遇到的這些問題歸結為由內存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設備制造商ASML則也在被指責之列。
ObjectiveAnalysis市調公司的分析師JimHandy認為內存市場的上揚期恐怕不久便會結束，他并稱2011年中期或2012年間內存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
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ASML 內存芯片 50nm
對于內存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產品投產準備時間加 長，產品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內存廠商遇到的這些問題歸結為由內存廠商自身的問題而引起，不過著名光 刻設備制造商ASML則也在被指責之列。
Objective Analysis市調公司的分析師Jim Handy認為內存市場的上揚期恐怕不久便會結束，他并稱2011年中期或2012年間內存芯片
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ASML 內存芯片
受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(Holistic Lithography)系列產品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂，生產時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(p
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ASML DRAM 晶圓代工
在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現(xiàn)22nm的各類光刻技術的進展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達到工業(yè)使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
Imec和ASML已合作驗證ASML的Tachyon Source Mask Optimization和可編程照明系統(tǒng)FlexRay，通過22nm SRAM單元的制造展示了其潛在應用價值。今年10月，imec使用的ASML XT：1900i掃描光刻設備將安裝FlexRay產品，幫助imec進一步開拓沉浸式光刻技術的應用。
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ASML 光刻機
ASML日前宣布，其2010年Q2凈銷售達到1,069 million歐元，凈收入為239 million 歐元，Q2的凈訂單價值1,179 million 歐元，包括了48套新系統(tǒng)及11套二手系統(tǒng)。各項數(shù)據(jù)均較2010年Q1有所提高。
ASML總裁兼CEO Eric Meurice認為，Q2銷售的強勁增長證明了半導體產業(yè)近期對于光刻設備的需求，已有近20套NXT:1950i 設備運出。所有ASML的先進NXT光刻機都包括了一個或多個一體化光刻部件。對于下一代將要應用于20nm以下節(jié)點的產品，E
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ASML 光刻機
據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導體廠商對沉浸式光刻設備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時還 招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時還預計公司將可保證各個客戶對光刻設備的訂單需求。
由于消費電子設備以及PC市場對高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預計他的客戶們在今明兩年不會碰上所生產的芯片產品供過于求的情況。
據(jù)ASML公司今年一季度公布的財報數(shù)據(jù)顯示，這家光刻廠商今年一季度末的N
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ASML 32nm 光刻設備
據(jù)臺灣媒體報道，聯(lián)電近日宣布，將發(fā)動公司成立30年來首次私募案。業(yè)界揣測，聯(lián)電將藉此引進新策略伙伴，對象包括整合元件制造廠德儀 (TI)、設備大廠ASML，以及新崛起的同業(yè)Global Foundries(GF)等，再次挑戰(zhàn)臺積電。
半導體產業(yè)景氣佳，晶圓代工廠聯(lián)電積極擴產，南科12寸廠第3、4期廠房20日完工啟用。聯(lián)電董事會同時決議，辦理12.98億股額度私募增資案，換算相當公司已發(fā)行股數(shù)的一成，每股面額10元。以聯(lián)電前天收盤價計算，最多可募得逾190億元資金。
聯(lián)電發(fā)言人劉啟東坦言，&
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聯(lián)電 晶圓代工 ASML Global Foundries
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