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          SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

          • 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后,如何踏實去干,去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑,其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
          • 關(guān)鍵字: SOI  finFET  

          高通總裁談服務(wù)器芯片:更低功耗實現(xiàn)相同性能

          •   2016年12月7日,高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進展:其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣,預(yù)計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品,Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術(shù),這也是全球首款10nm處理器芯片,最高可配置48個核心。   高通官方介紹,Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
          • 關(guān)鍵字: 高通  FinFET  

          中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義?

          •   最近,中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組,利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD),能顯著降低源漏寄生電阻,從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍,使得驅(qū)動性能達到了國際先進水平。   基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收,并在IEDM的關(guān)鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上,由張青竹
          • 關(guān)鍵字: FinFET  摩爾定律  

          中國突破半導體新工藝 先要從這位美籍華人講起

          • 由于技術(shù)和商業(yè)上的原因,摩爾定律也失去了效力,而且受制于光刻技術(shù)、硅材料的極限等因素,芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸,這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
          • 關(guān)鍵字: 半導體  FinFET  

          CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

          •   1 CMOS集成電路的性能及特點  1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW?! ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作?! ?.3
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

          CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價格止跌

          •   據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導,攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價的趨勢已逐漸趨緩,智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準,預(yù)料2017年初市場需求不減,報價甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。   造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計,讓高階手機市場的CMOS影像傳
          • 關(guān)鍵字: CMOS  像傳感器  

          CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價格止跌

          •   據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導,攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價的趨勢已逐漸趨緩,智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準,預(yù)料2017年初市場需求不減,報價甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。   造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計,讓高階手機市場的CMOS影像傳
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

          CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價格止跌

          •   據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導,攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價的趨勢已逐漸趨緩,智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準,預(yù)料2017年初市場需求不減,報價甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當?shù)拿總€2~3美元水準。   造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計,讓高階手機市場的CMOS影像傳
          • 關(guān)鍵字: CMOS  影像傳感器  

          格羅方德展示基于先進14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes

          •   格羅方德公司今天宣布,已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對最嚴苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準備?! 「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導,可補償超過35dB的插入損耗,因而無須在目前極
          • 關(guān)鍵字: 格羅方德  FinFET  

          控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛?

          •   盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久,現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價值提升的空間,然而全球“大T”們(運營商)的發(fā)展焦點已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移,紛紛從技術(shù)研發(fā)、標準制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手,對5G進行全面布局。   “預(yù)計2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶,其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?!辫b于全球運營商的積極行動,業(yè)界紛紛調(diào)高了對5G發(fā)展速度的預(yù)期,愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
          • 關(guān)鍵字: 三星  FinFET  

          數(shù)字集成電路的四大性能檢測技巧

          •   一、電壓法判斷數(shù)字集成電路好壞   1、如果數(shù)字集成電路的供電電壓正常,焊接良好,而測得其電源引腳的電壓值過低,則可判定該被測數(shù)字集成 電路已損壞。   2、如果測得數(shù)字集成電路電源電壓引腳的電壓值正常,但其他引腳的電壓值大多失常,則說明接地引腳是虛焊,而該集成電路大多正常。   3、如果測得數(shù)字集成電路的個別或少數(shù)幾個引腳的電壓值偏離正常值較大,則應(yīng)先檢查與這個引腳所對應(yīng)原外圍元器件電路是否有故障,如電阻短路、斷路、電容漏電或被擊穿等。若外圍元器件電路無故障,則說明該被測數(shù)字集成電路已損壞。
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  CMOS  

          FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明:網(wǎng)速有千百倍成長空間

          •   半導體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說,由于半導體技術(shù)的突破,網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。   在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會,今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動”,由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團隊,在半導體微型化的突破成就是其中之一。   胡正明率領(lǐng)的美國加州大學柏克萊分校團隊,將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”,讓半導
          • 關(guān)鍵字: FinFET  

          作為手機傳感器市場的霸主 索尼CMOS有多牛?

          •   說到手機攝像頭,想必很多關(guān)注手機的朋友腦海中都會立馬浮現(xiàn)出索尼IMX系列的若干型號傳感器,的確,細數(shù)近來發(fā)布的諸多款新機基本都被索尼IMX這幾個字霸占。說到索尼這個品牌,不禁讓人聯(lián)想到它在相機領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),早在13年索尼就率先發(fā)布了全球首款全畫幅的無反相機,此后的黑卡系列也不斷穩(wěn)固了它在無反相機領(lǐng)域的超高地位,甚至以超高像素和大底的傳感器沖擊著單反市場。   手機攝像頭在傳感器方面雖然遠不能與相機同日而語,但是隨著越來越多的廠商已經(jīng)開始選擇與索尼展開個性化合作,為自己的品牌量身定制感光元件,我們也
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

          低電壓CMOS兩級OTA電路

          • 低電壓CMOS兩級OTA電路在第一級采用共源共柵結(jié)構(gòu)M1~M11,相比基本的兩級放大器可以提高增益,并克服了套筒式結(jié)構(gòu)的輸入范圍窄的缺點。輸入采用PMOS折疊式差分輸入結(jié)構(gòu),輸入共模范圍可以非常寬,甚至可以低于底電壓。同時第2...
          • 關(guān)鍵字: 低電壓  CMOS  OTA電路  

          手機拍照性能越來越強 索尼CMOS功不可沒

          • 可以說索尼為業(yè)界獻出的貢獻功不可沒,索尼憑借多年的奮斗和逆天的技術(shù)當之無愧成為了占領(lǐng)手機傳感器市場的霸主。
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  
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