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          要想手機(jī)拍照好,CMOS和CCD傳感器藏絕招

          • 圖像傳感器在智能手機(jī)、照相機(jī)、攝像機(jī)中都發(fā)揮著十分關(guān)鍵的作用。在CIS、CMOS和CCD三類傳感器中,人們經(jīng)常討論的是CMOS和CCD圖像傳感器之間的比較優(yōu)勢,本文將簡單介紹兩種傳感器的分類及特點(diǎn),并會(huì)給出選擇兩種傳感器產(chǎn)品時(shí)的一些實(shí)用建議。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  CCD  圖像傳感器  

          北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報(bào)道

          •   2017年5月25日,英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷,7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明,在過去15年中,材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點(diǎn),大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來,中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家,其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而,材料科學(xué)家認(rèn)為,需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示,如果沒有足夠的扶持,中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  CMOS  

          單芯片毫米波傳感器步入CMOS時(shí)代

          • CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率,縮小了尺寸,并且提高了每個(gè)節(jié)點(diǎn)的性能。同時(shí),CMOS技術(shù)進(jìn)一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力,從而實(shí)現(xiàn)了在雷達(dá)系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓?fù)洹?/li>
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  

          FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

          •   隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí),他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過程帶來了許多重大布局限制,另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜,因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。   FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)   隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí),他們同樣面臨許多新的設(shè)
          • 關(guān)鍵字: FinFET  

          英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

          •   英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL,相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個(gè)月也將陸續(xù)到位,市場上認(rèn)為22 FFL的推出,顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來。   據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo),英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術(shù),能打造出高效能及低功耗的電晶體,漏電流(le
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  FinFET  

          傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

          •   繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道,傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下,梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣,梁孟松同樣來自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層,他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長。   之前蔣尚義加入中芯時(shí),已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了,畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來看,他都堪稱元老。在臺(tái)積電,蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā),張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  FinFET  

          后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

          •   自從14nm節(jié)點(diǎn)開始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié),對(duì)此Intel也不是沒有準(zhǔn)備,最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路,Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。     根據(jù)EE
          • 關(guān)鍵字: Intel  CMOS  

          芯片業(yè)追尋后CMOS時(shí)代研發(fā)新方向

          • 傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ),并在數(shù)十年來持續(xù)落實(shí)于產(chǎn)業(yè)界,如今它正日益成熟,業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
          • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

          摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

          • 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅,但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實(shí)面臨著很大挑戰(zhàn),IRDS日前發(fā)布的一份報(bào)告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會(huì)終結(jié)了。
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  CMOS  

          索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

          •   索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦,不過沒有隨波逐流,漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞,索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大??赡芎芏嗳藭?huì)覺得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn),但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工,因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來自索尼。   索尼XZ Prumium   索尼鏡頭   索尼展示技術(shù)   在今年的MWC上,索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外,他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹,三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

          FinFET之父胡正明談人才培育

          •   潘文淵文教基金會(huì)日前舉行“潘文淵獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮,2016年的得獎(jiǎng)人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他曾回臺(tái)擔(dān)任臺(tái)積電首任技術(shù)長,也是工研院院士,他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限,堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來的最大變革。   胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育,為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎(jiǎng)典禮中,胡正明與清華大學(xué)前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇,兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。   肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
          • 關(guān)鍵字: FinFET  

          汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)遇

          • 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導(dǎo)體市場的增長不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加,而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  ADAS  

          胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶?

          •   近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注,為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。   眾所周知,當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時(shí),對(duì)電流控制能力急劇下降,漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。   盡管FinFET與FD-SOI師出同門,但是,兩者卻被“陣營化”,F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。   今天我們就來談?wù)凢i
          • 關(guān)鍵字: FinFET  FD-SOI  

          本土手機(jī)芯片廠商日益強(qiáng)大 2017市場增長極都有誰?

          • 手機(jī)產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長,芯片市場維持高景氣度
          • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

          索尼革命性拍照黑科技:把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS

          •   盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017,但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日,索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解,索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn),在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理  技術(shù)介紹稱,大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力,從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容,有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象,使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
          • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  
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