cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
基于CMOS模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器
- 1 引言近年來,無線通信技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展。它對收發(fā)信機(jī)前端電路提出的新要求是:高線性,低電壓,低功耗,高度集成?;祛l器作為無線通信系統(tǒng)射頻前端的核心部分之一,其性能的好壞將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。從
- 關(guān)鍵字: 單平衡混頻器 CMOS 模擬開關(guān) 開關(guān)混頻器
FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計(jì):演進(jìn)還是革命?
- 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管,TSMC 在其 16 nm 工藝上使用,而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
- 關(guān)鍵字: FinFET 電路設(shè)計(jì)
基于USB2I2C接口的CMOS圖像傳感器在線調(diào)試系統(tǒng)
- CMOS圖像傳感器是近年來發(fā)展最為快速的新型固態(tài)圖像傳感器,它利用其自身的工藝和集成的特點(diǎn)將光電成像陣列與信號模擬放大和數(shù)字圖像處理電路集成于單芯片內(nèi),與CCD圖像傳感器相比,具有體積小、功耗低、控制簡單、
- 關(guān)鍵字: CMOS 調(diào)試系統(tǒng) 接口 DSP 寄存器
具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構(gòu)
- 1.前言 過去的幾十年,業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討,旨在于在成像早期階段處理圖像,從場景中提取最重要的特征,如果換作其它方式達(dá)到同樣目的,例如,使用普通計(jì)算技術(shù),則需要為此花費(fèi)昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面,運(yùn)動(dòng)偵測是最重要的圖像特征之一,是多個(gè)復(fù)雜視覺任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對比概念,這個(gè)概念在很多應(yīng)用中特別重要,包括交通監(jiān)控、人體運(yùn)動(dòng)拍照和視頻監(jiān)視[2], [4], [5], [7]。這些應(yīng)用要求圖像偵測精確并可靠,
- 關(guān)鍵字: 傳感器 CMOS
基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)
- 在很多場合,由于客觀條件限制,人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場進(jìn)行直接觀察,只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來代替完成,在此背景下發(fā)展起來的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應(yīng)用技術(shù)之一,它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)圖像采集,必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn): (1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)對價(jià)格敏感。 物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用,傳感節(jié)點(diǎn)數(shù)目成百上千,若每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本提高一點(diǎn),整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會提高很多。所以傳感節(jié)點(diǎn)圖像采集的成本應(yīng)盡量低。 (2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對圖像質(zhì)量要求
- 關(guān)鍵字: 單片機(jī) CMOS
半導(dǎo)體制程技術(shù)競爭升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場版圖還為時(shí)過早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少,全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator,F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示,三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊虾3闪⒌囊蛔戮A廠是否會采用FD
- 關(guān)鍵字: 制程 FinFET
MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。 據(jù)IEEESpectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。 光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測量
- 關(guān)鍵字: MIT CMOS
MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng) 可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng),而且由于不采用運(yùn)動(dòng)機(jī)件將更為耐用,其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外,其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。 據(jù)IEEE Spectrum報(bào)導(dǎo),光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù),雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度,因?yàn)楣饩€波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個(gè)畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。 光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測
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cmos finfet介紹
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