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	cmos finfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。

　　隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。

　
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          • 關鍵字：
                        FinFET  矽材料                          
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          雙通道/四通道CMOS 運算放大器LTC6084/LTC60
          
                                                            
            
                    	
          • 描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        雙通道  四通道  CMOS  運算放大器  LTC6084                          
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          MAX44265低功耗關斷模式CMOS運算放大器
          
                                                            
            
                    	
          • MAX44265運算放大器的特點是在最大增益帶寬比(物質GBW)提供電流，如手機，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設備的電池供 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MAX44265  低功耗  關斷模式  CMOS  運算放大器                          
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          Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
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          • 關鍵字：
                        Vishay  CMOS  導通電阻                          
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          美國半導體聯(lián)盟啟動“半導體合成生物技術”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目：第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域，將從細胞生物學獲得的經驗應用到新型芯片體系結構中，反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域，專門支持半導體生物混合系統(tǒng);第3個領域是分子級精確增材制造領域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。-

　　麻省理工學院的RahulSarpe
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          • 關鍵字：
                        半導體  CMOS                          
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          改進RGC結構的光互連CMOS前置放大器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明：在光探測器結電容 ...
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          • 關鍵字：
                        RGC  CMOS  前置放大器                          
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          帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
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          • 關鍵字：
                        增益  高速  CMOS  運算放大器                          
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          CMOS型單片機時鐘電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • MCS-51內部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CMOS  單片機  時鐘電路                          
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          新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產品。
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          • 關鍵字：
                        新日本  CMOS  無線網絡                          
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          技術：CMOS集成電路電阻的應用分析
          
                                                            
            
                    	
          • 　　目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。
　　1CMOS集成電路的性能及特點
　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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          • 關鍵字：
                        CMOS  電阻                          
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          3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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          • 關鍵字：
                        CMOS  LCVCO  電感  射頻開關  PVT  鎖相環(huán)                          
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          MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復用器/開關
          
                                                            
            
                    	
          • 概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復用器（MAX4617），兩個4通道多路 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復用器                          
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          Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術參考流程
          
                                                            
            
                    	
          • Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
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          • 關鍵字：
                        Mentor  FinFET                          
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          上海自貿區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著上海自貿區(qū)掛牌時間的臨近，本周自貿熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿區(qū)藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿區(qū)組建合資公司的公告，更是令自貿區(qū)相關游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā)，百視通昨日就強勢漲停。
　　分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿區(qū)設立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿區(qū)正式終結;在此背景下，預計與游戲機生產相關的軟硬件公司，如水晶光電
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          • 關鍵字：
                        紅外LED  CMOS                          
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          銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流
          
                                                            
            
                    	
          • 　　銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產品用處理器和內存外，其他CMOS半導體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。

　　目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數(shù)量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。

　　
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          • 關鍵字：
                        CMOS  倒裝芯片                          
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