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          FinFET改變戰(zhàn)局 臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

          •   晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計自動化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量,強(qiáng)化在FinFET市場的競爭力。   臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到,今年臺積電雖屢創(chuàng)季營收新高,但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。   臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示,臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對
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          CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

          • 二、其它器件驅(qū)動CMOS集成電路  1.TTL-CMOS集成電路的接口  利用集電極開路的TTL門電路可以方便靈活 ...
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          CMOS集成電路設(shè)計(二):接口電路詳解

          • 一、CMOS集成電路驅(qū)動其它器件  1.CMOS-TTL集成電路的接口  由于TTL的低電平輸入電流1.6mA,而CMOS的低 ...
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          “韓流”席卷全球LED等數(shù)字產(chǎn)品市場

          •   據(jù)2012年全球“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示,在調(diào)查所涵蓋的50個品類中,韓國三星電子集團(tuán)在7個品類上占據(jù)全球份額榜首。包括LG電子等在內(nèi),韓國企業(yè)在數(shù)字產(chǎn)品市場方面擴(kuò)大了優(yōu)勢。另一方面,日本企業(yè)則在數(shù)字產(chǎn)品零部件和相機(jī)領(lǐng)域保持領(lǐng)先。在日元趨于貶值的2013年,日本企業(yè)的卷土重來值得期待。   三星位居全球份額榜首的是,手機(jī)終端、智能手機(jī)、有機(jī)EL面板、平板電視、鋰離子電池、用于個人電腦等的半導(dǎo)體存儲器DRAM以及NAND型閃存等7大品類。而在液晶面板、平板電腦、白色發(fā)光二
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          Diodes為強(qiáng)化CMOS邏輯系列新增移位寄存器及譯碼器

          • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為旗下強(qiáng)化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體) 邏輯系列,新增標(biāo)準(zhǔn)的移位寄存器及譯碼器邏輯集成電路。
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          聯(lián)華與新思攜手 加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)

          • 聯(lián)華電子與全球半導(dǎo)體設(shè)計制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys),日前(26日)共同宣布,兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實(shí)作平臺的一部分-寄生StarRC?萃取方案,成功完成了聯(lián)華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設(shè)計定案。
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          富士/松下聯(lián)手打造有機(jī)CMOS傳感器

          •   有機(jī)材質(zhì)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用了多年(比如AMOLED),相比傳統(tǒng)的非有機(jī)材質(zhì),它的色彩表現(xiàn)更加鮮艷,并且具有廣視角、高對比度等優(yōu)勢。本周富士、松下聯(lián)合宣布了他們共同打造的有機(jī)CMOS傳感器,將有機(jī)材料首次應(yīng)用到CMOS傳感器上。   傳統(tǒng)影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結(jié)構(gòu)組成,而富士、松下聯(lián)合研發(fā)的這種有機(jī)CMOS傳感器使用高吸收率的有機(jī)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅光電二極管,感光層厚度減小至0.5微米。   據(jù)了解,這種新型有機(jī)CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進(jìn),比如動態(tài)范
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          安森美半導(dǎo)體醫(yī)療半導(dǎo)體解決方案配合醫(yī)療市場發(fā)展趨勢

          • 隨著人們生活水平的提高和人口老齡化的發(fā)展,對醫(yī)療器械的創(chuàng)新發(fā)展也提出了更高要求,而半導(dǎo)體技術(shù)在醫(yī)療設(shè)備創(chuàng)新方面發(fā)揮著重要作用。安森美半導(dǎo)體身為推動高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體廠商,其多款醫(yī)療半導(dǎo)體產(chǎn)品居于領(lǐng)先地位,例如用于助聽器的數(shù)字信號處理(DSP) SoC的市場份額高居全球第一。
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          聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程

          •   晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。   擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù),針對行動運(yùn)算與通訊產(chǎn)品,提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù),以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
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          東芝開發(fā)出應(yīng)用于小型低功率產(chǎn)品的CMOS圖像傳感器

          • 東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發(fā)進(jìn)展。 內(nèi)置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統(tǒng)傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國電氣和電子工程師學(xué)會(IEEE)主辦的國際固態(tài)電路研討會)會議上對該產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)展進(jìn)行了介紹。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  傳感器  

          TTL電平和CMOS電平總結(jié)

          • TTL電平:輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下,一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
          • 關(guān)鍵字: CMOS    電平    電路  

          CMOS集成電路設(shè)計(三):CMOS設(shè)計注意事項

          • (1)使用TTL集成電路注意事項  ①TTL集成電路的電源電壓不能高于+5.5V使用,不能將電源與地顛倒錯接,否則將會因 ...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

          聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟 共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

          • 聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布,聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)華  IBM  FinFET  

          CMOS與MEMS方案走紅 移動裝置RF架構(gòu)改弦更張

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: CMOS  MEMS  RF前端  雙工器  

          里昂喊買臺積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價上看140元

          •   里昂證券出具報告表示,看好臺積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn),將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程,預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰,雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張,但2015年將會衰退10%,考量現(xiàn)金流和回報率,給予買進(jìn),并將目標(biāo)價從126元上調(diào)140元。   FinFET制程部分,里昂證券指出,F(xiàn)inFET技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù),結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量,臺積電預(yù)計在2015年前,積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造   里昂證券也指
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