cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
FinFET新技術(shù)對半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體制造
FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動新一輪競賽
- 半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 過去數(shù)10年來，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。 然而，電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
- 高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
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專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D
爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時(shí)硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
- 關(guān)鍵字： FinFET 晶圓
臺灣第3季IC封測產(chǎn)值季增4.5％
- 臺灣第3季IC封測產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導(dǎo)體封裝測試產(chǎn)業(yè)趨勢，IEK ITIS計(jì)劃預(yù)估，第3季臺灣封裝及測試業(yè)產(chǎn)值分別可達(dá)新臺幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。 IEK ITIS計(jì)劃指出，展望第3季，高階智慧型手機(jī)市場反應(yīng)趨弱，封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機(jī)、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫存調(diào)整時(shí)間可能拉長。 展望今年全年IC封裝測試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計(jì)劃指出，雖然高階
- 關(guān)鍵字： IC封測 CMOS
英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀
- 英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
- 關(guān)鍵字： 集成電路設(shè)計(jì) FinFET
英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀
- 根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
- 關(guān)鍵字： Sondrel FinFET
CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向
- CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進(jìn)行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標(biāo)是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。 當(dāng)前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機(jī)構(gòu)很多，其中
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
晶圓廠的FinFET混搭制程競賽
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
- 關(guān)鍵字： 晶圓 FinFET
縮短開發(fā)時(shí)程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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