EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
合約價(jià)勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1％，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收呈季增趨勢(shì)。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫(kù)存水平墊高，采購(gòu)量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫(kù)存仍處于健康水位，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫(kù)存仍待去化，拖累價(jià)格漲幅居所有應(yīng)用之
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM TrendForce
合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫(kù)存水平已墊高，采購(gòu)量明顯減弱。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫(kù)存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
- 關(guān)鍵字： 淡季效應(yīng) DRAM TrendForce 集邦咨詢
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì)上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
- 關(guān)鍵字： 南亞科技 內(nèi)存 DRAM
美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 日本 EUV
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內(nèi)存 DRAM HBM
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
- IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
- 關(guān)鍵字： 海力士 三星 DRAM
美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
- 近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其速率在所有主流服務(wù)器平臺(tái)上均高達(dá)5600MT/s。據(jù)介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術(shù)的競(jìng)品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達(dá)22%，2延遲降低高達(dá)16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心常見(jiàn)的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，包括人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、高性能計(jì)算（HPC）、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMD
- 關(guān)鍵字： DRAM芯片 美光科技 DDR5
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
累計(jì)上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯?chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁，特別是生
- 關(guān)鍵字： SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
AmpereOne-3 芯片明年亮相：256核，支持 PCIe 6.0 和 DDR5
- 4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時(shí)表示，將于今年晚些時(shí)候推出 AmpereOne-2，配備 12 個(gè)內(nèi)存通道，改進(jìn)性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%，內(nèi)存帶寬將增加多達(dá) 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計(jì)劃在 2025 年發(fā)布，擁有 256 個(gè)核心，采用臺(tái)積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進(jìn)后的
- 關(guān)鍵字： AmpereOne-3 芯片 256核 PCIe 6.0 DDR5
SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng)，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開(kāi)始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM
存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈
- AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另?yè)?jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來(lái)第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM TrendForce
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473