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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座
- 雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認,其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業(yè)務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導致其智能手機業(yè)務遭遇滑坡,但是元件業(yè)務的完全可以彌補,直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導權利。 不管是PC業(yè)務還是手機業(yè)務未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開始缺貨,甚至漲價,據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,由于
- 關鍵字: DRAM 三星
美光預投1,300億未來規(guī)劃中科擴廠計劃
- 中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實,全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1,300億元,未來將落腳中部科學園區(qū)進行擴廠計劃,預計將增加逾2千個就業(yè)機會。據(jù)悉,美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營運中心。 工業(yè)局表示,去年協(xié)助美光在臺擴大投資,總投資金額高達新臺幣1,300億元,也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助,未來規(guī)劃中科擴廠計劃,將可增加2,000個以上就業(yè)機會,將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。
- 關鍵字: 美光 DRAM
為什么說中國必須建設本土存儲產(chǎn)業(yè)
- 在長江存儲,晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際,有很多人曾經(jīng)質疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設。現(xiàn)在我通過一個事實告訴你原因?,F(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè),基本是韓國廠商的天下,而隨著設動設備的火熱,各種設備的爆發(fā),市場對存儲的需求日增,于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題,進而導致了漲價。 拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜,部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士,今年半導體營業(yè)利潤可能年增5成,來到史無前例的25兆韓圓。 存儲市況從2016年6月觸底反彈后,從最低每單位1
- 關鍵字: DRAM
TrendForce:服務器DRAM模組供不應求,Q1報價看漲25%
- 市場調查機構TrendForce最新報告預測,服務器用DRAM模組由于供給吃緊,第一季報價可能攀升至少25%。 2017年第一季初,服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%,部份高密度產(chǎn)品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻,16GB模組也來到100美元。 TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn),服務器DRAM模組報價看漲,部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外,服務器制造業(yè)者因擔心價格持續(xù)走揚而提前
- 關鍵字: DRAM
DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢,2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元,季漲幅超過三成,為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來,2017年第一季標準型內存價格持續(xù)攀高,平均漲幅接近三成,服務器內存的漲幅略同,R-DIMM 32GB模組已超過200美元
- 關鍵字: DRAM
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元,能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內存單元,無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設備,也無需任何新的材料或工藝?! ∠噍^于一般的DRAM,VLT內存數(shù)組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元,以及驅動更長行與列的能力,使其得以大幅提升內存數(shù)組效率。然而,想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢,就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
- 關鍵字: DRAM
紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元,在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。 半導體設備業(yè)透露,紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案,等同遼寧號航空母艦出海試航,是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端,也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。 由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
- 關鍵字: 紫光 DRAM
存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄
- 根據(jù)ICInsights報道,在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產(chǎn)能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。 這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結束。但由于
- 關鍵字: DRAM 存儲器
嚴防技術泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力防堵DRAM技術流入中國大陸,讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板,也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員,遭到空前恫嚇。 半導體人士透露,三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術,顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破,三大廠采取法律制約員工跳槽的行動,如果能奏效,將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴大,明年再現(xiàn)飆漲
- 關鍵字: DRAM SK海力士
力晶黃崇仁:2017年DRAM市況非常好
- 力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)技術協(xié)會成立大會時表示,明年存儲器市況不錯,但力晶沒有到大陸生產(chǎn)存儲器的計劃;同時他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法,他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度,不會去挖臺積電的墻角。 20日市場傳出,蔡力行將加入大陸紫光集團,協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠,黃崇仁對此提出看法表示 ,以他與蔡力行是老朋友的身分觀察,蔡力行對臺積電是有忠誠度的,不會去挖臺積電的墻角。 由于力晶已經(jīng)前進大陸合肥在當?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶,目前廠房已經(jīng)蓋好,明年將進
- 關鍵字: 力晶 DRAM
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