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          高速數(shù)字電路設(shè)計:互連時序模型與布線長度分析

          • 高速電路設(shè)計領(lǐng)域,關(guān)于布線有一種幾乎是公理的認識,即“等長”走線,認為走線只要等長就一定滿足時序需求,就不會存在時序問題。本文對常用高速器件的互連時序建立模型,并給出一般性的時序分析公式。為
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          DDR的前世與今生(二)

          •   SDRAM與DDR SDRAM   SDRAM是比較久遠的事情了,但我們一說到它肯定不會和 DDR混淆,我們通常理解的SDRAM其實是SDR SDRAM,為SDRAM的第一代,而DDR1則為第二代,乃至到我們現(xiàn)在使用的DDR4,其實為第五代SDRAM,在此需要澄清一下。以示區(qū)別,后續(xù)文 章里面用SDR來特指SDR SDRAM,而DDR就特指DDR SDRAM了。   就像很多人回復的一樣,他們的本質(zhì)區(qū)別就是周期操作方 式(也稱時鐘采樣)的差異,這就導致后面設(shè)計上很大的不同。SDR都是“
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          e2v宣布計劃延長Micron部分SDR和DDR存儲產(chǎn)品的壽命

          • 射頻功率、成像和高可靠性半導體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布,將延長世界領(lǐng)先高級存儲解決方案供應(yīng)商之一 Mic
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          IDT為Intel Xeon處理器提供企業(yè)解決方案

          • 混合信號半導體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器,該處理器采用可進行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交換和計
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          DDR的前世與今生(一)

          •   DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來,嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR。   說到這里,很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼,怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關(guān)于存儲的基礎(chǔ)知識吧。   ROM 和RAM指的都是半導體存儲器,ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱,是一種只能讀出事先
          • 關(guān)鍵字: DDR  DRAM  

          Synopsys推出帶有DisplayPort 1.3和HDCP 2.2的USB 3.1 Type-C IP產(chǎn)品以支持高帶寬數(shù)據(jù)傳輸和內(nèi)容保護

          •   新思科技(Synopsys, Inc.)日前宣布:推出全新的DesignWare? USB-C 3.1/DisplayPort 1.3知識產(chǎn)權(quán)(IP)解決方案,該解決方案集成了USB Type-C?(USB-C?)、SuperSpeed USB 10 Gbps(USB 3.1 Gen 2)和DisplayPort 1.3接口,以及帶有高帶寬數(shù)字內(nèi)容保護(HDCP)2.2 I
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          信號在PCB走線中傳輸時延

          •   信號在媒質(zhì)中傳播時,其傳播速度受信號載體以及周圍媒質(zhì)屬性決定。在PCB(印刷電路板)中信號的傳輸速度就與板材DK(介電常數(shù)),信號模式,信號線與信號線間耦合以及繞線方式等有關(guān)。隨著PCB走線信號速率越來越高,對時序要求較高的源同步信號的時序裕量越來越少,因此在PCB設(shè)計階段準確知道PCB走線對信號時延的影響變的尤為重要。本文基于仿真分析DK,串擾,過孔,蛇形繞線等因素對信號時延的影響。   1.引言   信號要能正常工作都必須滿足一定的時序要求,隨著信號速率升高,數(shù)字信號的發(fā)展經(jīng)歷了從共同步時鐘到
          • 關(guān)鍵字: PCB  DDR  

          是德科技于 DesignCon 展會上展示高速數(shù)字設(shè)計與測試解決方案

          •   是德科技公司日前在 DesignCon 2015 展會上展示其高速數(shù)字解決方案。本屆展會于 1 月 28 日到 29 日在美國加州圣克拉拉會展中心舉行,是德科技展位設(shè)于第 725 號展臺。是德科技非常自豪能夠接替其前身惠普公司和安捷倫公司,繼續(xù)擔任 DesignCon 展會的發(fā)起方和主辦方。一年一度的 DesignCon 展會即將迎來其 20 周年紀念日。作為主要面向高速通信和半導體行業(yè)中的芯片、電路板和系統(tǒng)設(shè)計工程師的一項活動,它已成為行業(yè)中最重要的展會。   是德科技將展出眾多仿真、建模、測試和
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          DDR Memory 系統(tǒng)裕量的特性化研究

          •   Memory是系統(tǒng)運行和性能的核心。設(shè)計人員需要更好地了解內(nèi)存子系統(tǒng),以優(yōu)化系統(tǒng)吞吐能力。   如今Memory炙手可熱。最近在加利福尼亞州舉行的2014 MemCon盛況空前,展廳里展示了幾乎所有關(guān)于Memory的產(chǎn)品,參會的人也熱情高漲。   會議主題是,是否有更為行之有效的方法來特性化分析DDR Memory的系統(tǒng)裕量。尤其是DDR子系統(tǒng)(DDR controller, PHY和 I/O))被嵌入到芯片用于承擔處理器和外部DDR存儲器之間的數(shù)據(jù)交互任務(wù),這使得這種分析變得更加困難。 要知道,
          • 關(guān)鍵字: MEMCON  Memory  DDR-SDRAM  

          達成最佳效能/成本的服務(wù)器ASIC IP與系統(tǒng)整合實現(xiàn)40nm高成本效益制造

          •   彈性客制化IC設(shè)計領(lǐng)導廠商(Flexible ASIC Leader™)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.,GUC)與高度創(chuàng)新的fabless Soc – centric IC芯片設(shè)計公司, 信驊科技(ASPEED Technology, Inc.)采用業(yè)界第一個以臺積電公司40nm低功耗(Low Power,LP)工藝節(jié)點的DDR3/4 PHY,大幅加速了一遠程管理控制器的系統(tǒng)設(shè)計, 此控制器用于服務(wù)器及桌面虛擬化。   創(chuàng)意電子的DDR 3/4 PHY為業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 創(chuàng)意電子  ASIC  DDR  

          Synopsys將用于Grade 0汽車應(yīng)用的DesignWare NVM IP面積縮小75%

          • 加速芯片和電子系統(tǒng)創(chuàng)新而提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.,納斯達克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:其用于高壓工藝的DesignWare AEON Trim NVM IP開始供貨。與其它的NVM IP解決方案相比,該款全新的IP將面積縮小達75%,同時有助于降低汽車IC的成本和尺寸。該IP可用于標準的180納米5V CMOS和BCD工藝,而不需要額外的光罩或工藝步驟。DesignWare NVM IP支持Grade 0汽車應(yīng)用所需要的寬溫度范圍,
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          Synopsys多協(xié)議DesignWare Enterprise 12G PHY IP

          •   新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布:其多協(xié)議DesignWare? Enterprise 12G PHY IP正式上市,該物理層知識產(chǎn)權(quán)(PHY IP)將使多樣化的高端網(wǎng)絡(luò)和計算應(yīng)用在功耗降低的同時提升了性能。DesignWare Enterprise 12G PHY是專門為應(yīng)對設(shè)計師們所面臨的不斷增長的性能/功耗平衡挑戰(zhàn)而設(shè)計,它使設(shè)計師能夠輕松地將各種企業(yè)級通信協(xié)議集成到他們的系統(tǒng)級芯片(SoC)上,包括PCI Express 3.0、SATA 6G、10GBASE-KR、10GB
          • 關(guān)鍵字: Synopsys  DesignWare  

          ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

          • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
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          ARM11 S3C6410系列教程之三:內(nèi)存使用

          • 當在S3C6410跑操作系統(tǒng)的時候,我們不太會注意S3C6410的內(nèi)存使用情況,但是,當我們做裸板測試時,該處理器的8K的片內(nèi)內(nèi)存的使用就不得不注意,一旦編寫的程序大小超過了片內(nèi)內(nèi)存的大小,我們就不能得到正確的結(jié)果,究其原因,我們先看一下S3C6410的啟動過程。
          • 關(guān)鍵字: ARM11  DDR  NANDflash  內(nèi)存  

          Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

          • 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)日前宣布推出一個新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。為了滿足汽車儀表板與工業(yè)人機交互界面等多圖像應(yīng)用的需求,該產(chǎn)品家族具備業(yè)內(nèi)最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。
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