- DDR2簡介從1998年的PC100到今天的DDR3，內存技術同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴展。雖然DDR3在當今已經(jīng)量產(chǎn)與使用，DDR2在實際上還擔任著內存業(yè)界應用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎上
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DDR2 DDR 測試 力科
- DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產(chǎn)品的主流存儲器技術，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一，例如韓國
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DDR 測試技術 分析
- 你是否長時間糾纏于線路板的失效分析？你是否花費大量精力在樣板調試過程中？你是否懷疑過自己的原本正確的...
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硬件失效 焊接 樣板調試 DDR
- Cyclone II實現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因為它們會增加
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接口 方法 SDRAM DDR II 實現(xiàn) Cyclone
- GE智能平臺的DDR-1500高性能測試測量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來實現(xiàn)高性能測試測量。在測試測量過程中及時進行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動態(tài)監(jiān)測情況
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1500 2200 DDR DSC
- 業(yè)界最小負載點直流—直流轉換器領先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉換器，最高效率達到 96%——比傳統(tǒng) LDO(低壓差)穩(wěn)壓器解決方案省電 1.4 瓦，同時擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點。早在產(chǎn)品的官方版本發(fā)布之前，客戶就開始享受 EV1320 帶來的好處了——許多應用都配置了該裝置，包括 ul
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Enpirion DDR
- 在以往汽車音響的系統(tǒng)設計當中， 一塊PCB上的最高時鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時鐘頻率超過100MHz,有的甚至達到了GHz數(shù)量級。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅動的串行式設計方法已經(jīng)不能滿足今天的設計要
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DDR PCB 汽車音響 導航系統(tǒng)
- 在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應用已成為系統(tǒng)實現(xiàn)的關鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結構來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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存儲器 DDR SDRAM
- CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后，電源...
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電源設計 DDR 內存電源
- CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻
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電源 內存 設計 DDR
- DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計算機、服務器或游戲系統(tǒng))的應用中都要求 ...
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DDR 電源
- 目前廣泛使用的計算機內存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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DDR 測試
- 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時設置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試，數(shù)據(jù)率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測試時間。
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Xilinx FPGA DDR 201109
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關鍵詞：DDR NAN
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嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
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