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減少DDR記憶體驗負載的探測技術(shù)
- DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計最具挑戰(zhàn)性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個值得深思的問題。 理想上，DDR的可測試性應成為最終設(shè)計的一部份，以利于在測試臺進行系統(tǒng)的驗證，因為在整個產(chǎn)品生命周期中的工程設(shè)計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負載與空間需求，這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結(jié)合到產(chǎn)品的最初與最終
- 關(guān)鍵字： DDR 測量 測試
可以消除開關(guān)噪聲的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源
- 本設(shè)計介紹了一種應用于DDR內(nèi)存系統(tǒng)的獨特、低成本的電源電路。常規(guī)DDR內(nèi)存系統(tǒng)包括一個雙反向轉(zhuǎn)換器和一個輸出參考電壓。與常規(guī)設(shè)計不同，本文用線性調(diào)節(jié)器代替反向轉(zhuǎn)換器，見圖1，具有消除PWM轉(zhuǎn)換器開關(guān)噪聲的優(yōu)點。DDR內(nèi)存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設(shè)計者帶來新挑戰(zhàn)。本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過運放的線性調(diào)節(jié)設(shè)計實現(xiàn)。電路專門為低功耗DDR系統(tǒng)(如p
- 關(guān)鍵字： DDR 存儲器
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