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泰克推出第三代經(jīng)過驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品
- 全球領(lǐng)先的測試、測量和監(jiān)測儀器提供商--泰克公司日前宣布，為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同時覆蓋了物理層和數(shù)字域。泰克公司還為DDR3存儲器設(shè)計推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內(nèi)插器(Interposers)，改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測系統(tǒng)共同構(gòu)成了DDR設(shè)計和測試
- 關(guān)鍵字： tektronix 示波器 DPO/DSA70000B DPO7000 DDR
Spartan-3A 的 DDR 2 接口數(shù)據(jù)采集
- 1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一...
- 關(guān)鍵字： DDR FPGA 接口 數(shù)據(jù)采集
嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計
- 嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計,
- 關(guān)鍵字： DDR 時鐘 終端 匹配 阻抗 設(shè)計
NAND閃存的下一個熱點：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
- 關(guān)鍵字： TI 穩(wěn)壓器 存儲器 DDR
Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC
- Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
- 關(guān)鍵字： Maxim DDR 存儲器 電源管理 IC
基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制，以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM的各種時序操作，設(shè)計了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作，并采用自頂至下模塊化的設(shè)計方法，將控制核嵌入到整個數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中，完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進行了驗證和調(diào)試。最終采集到的
- 關(guān)鍵字： FPGA DDR SDRAM 數(shù)據(jù)采集
針對DDR供電 飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品
- 模擬市場正在茁壯成長，按照12%的年復(fù)增長率估算，將超過許多其他的數(shù)字IC市場。在這樣的發(fā)展速度下，據(jù)預(yù)測，模擬市場將在2012年達到680億美元，屆時將實現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場的最大消費區(qū)域，但設(shè)計和生產(chǎn)遍布在世界各地。 模擬市場是一個高度競爭的市場，一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品，而另一些則進行全面組合，以覆蓋各個領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品，事實上，新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn)，尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面，但是進入這一領(lǐng)域的門檻依然很高，由于工程人才，渠道力量和全球?qū)?/li>
- 關(guān)鍵字： DDR 飛思卡爾 200802
集邦：9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器
DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進一步下滑
- 據(jù)國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌，行業(yè)分析師預(yù)測，DRAM價格還將進一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營一家對內(nèi)存芯片進行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM DDR DDR2 存儲器
DDR內(nèi)存接口的設(shè)計與實現(xiàn)
- 針對當(dāng)今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
- 關(guān)鍵字： DDR 內(nèi)存 接口的設(shè)計
丹納赫傳動宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)
- 2007年6月8日，全球領(lǐng)先的運動控制解決方案提供商——丹納赫傳動（Danaher Motion）公司宣布，其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動旋轉(zhuǎn)伺服電機（CDDR）新添三種小框架的新產(chǎn)品，因此，現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機供應(yīng)，每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅(qū)動技術(shù)中非常特別的一種，其特點在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨特的無軸承設(shè)計，確保可以在30分鐘內(nèi)實現(xiàn)即裝即用，且沒有維護成本。
- 關(guān)鍵字： Cartridge DDR 丹納赫 消費電子 消費電子
低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： NCP1570 NCP1571 ONSEMICONDUCTOR DDR
采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證
- 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關(guān)鍵詞： 嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
- 關(guān)鍵字： 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機 嵌入式系統(tǒng) 雜志_設(shè)計天地 存儲器
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