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          美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產：1γ節(jié)點導入
          
                                                            
            
                    	
          • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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          • 關鍵字：
                        美光  EUV  DRAM                          
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          TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉跌0~5%
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  PC DRAM                          
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          三星將在不久后開始生產768GB DDR5內存條
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。　　但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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          • 關鍵字：
                        三星  內存  DRAM  DDR5                            
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          EUV技術開啟DRAM市場新賽程
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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          • 關鍵字：
                        EUV  DRAM                          
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          SK海力士開始量產采用EUV技術的第四代10納米級DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。* 
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR” 
為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering 
Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1. 
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  10納米  DRAM                          
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          美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng)新產品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后，有一
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          • 關鍵字：
                        美光  176層NAND  1α DRAM                           
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          美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術1α 節(jié)點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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          • 關鍵字：
                        202104  DRAM                          
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          2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產業(yè)的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產能今年保持穩(wěn)定
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND
 Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND 
Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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          • 關鍵字：
                        美光科技  DRAM  NAND                          
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          受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％
          
                                                            
            
                    	
          • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就
 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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          • 關鍵字：
                        內存  DRAM                          
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          完全漲不動：內存價格繼續(xù)觸底
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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          • 關鍵字：
                        內存  DRAM                          
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          SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學習等領域。           圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM           圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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                        SK海力士  DDR5  DRAM                          
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          "爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉產DRAM內存芯片？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產DRAM內存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產品、電子產品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產品、電子信息的技術開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
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                        格芯成都  DRAM                          
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          HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生
活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術市場的驚人發(fā)展。從2012年到
2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證
明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系

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                        ADAS  ML  DRAM  內存                          
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          三星電子平澤工廠第二生產線開始量產
          
                                                            
            
                    	
          • 實現(xiàn)DRAM量產后，預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工，首發(fā)量產產品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ?  ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米（
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                        EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM                          
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          dram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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