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集邦:明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3%創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)
- 根據(jù)集邦科技指出,2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3%,是歷年來(lái)首度低于10%,遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1%,分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻,價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求,但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來(lái)看,高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求,故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo),尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題,品牌超額下訂,加上通路銷售遲緩,使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面,
- 關(guān)鍵字: 集邦 DRAM NAND
美光車規(guī)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗(yàn)
- 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布其車規(guī)級(jí)高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)實(shí)現(xiàn)最高L4級(jí)自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合,理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級(jí)LPDDR4和UFS 2.1技術(shù),為用戶提供出色的娛樂(lè)和用
- 關(guān)鍵字: 美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)
DRAM 內(nèi)存加速降價(jià),6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息,日經(jīng)新聞表示,半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià),作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成,創(chuàng)出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來(lái)看,6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè),環(huán)比下跌 0.3 美元(10%),而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè),環(huán)比下跌 10%,同比下跌 32%,處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認(rèn)為,PC 和智能手機(jī)的
- 關(guān)鍵字: DRAM 市場(chǎng)
DRAM能否成為半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)晴雨表?
- 在今年Gartner的半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告中指出,從歷史角度來(lái)看,存儲(chǔ)市場(chǎng)一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況,使得價(jià)格上漲,但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過(guò)于求的周期,這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來(lái)具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問(wèn)題導(dǎo)致消費(fèi)市場(chǎng)向下修正 俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)打破歐洲和平局面,導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升,整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低,企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開(kāi)支。早在4月底,美國(guó)商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示,美國(guó)一季度G
- 關(guān)鍵字: DRAM 半導(dǎo)體 市場(chǎng)
潛力無(wú)限的汽車存儲(chǔ)芯片
- 隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn),汽車芯片的含量成倍提升,電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端,2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元,2035年為893億美元??梢?jiàn)芯片將成為汽車新利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn),有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力。 汽車芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲(chǔ)芯片為例,2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元,國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM, 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加,改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍,進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量,能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能,有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
- 關(guān)鍵字: 美光 數(shù)據(jù)中心 DRAM DDR5
中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?
- 近日,韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所(OERI)推算,韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半,兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據(jù)該研究院推測(cè),在NAND閃存領(lǐng)域,中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖
- 全球范圍看,2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%,NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì),2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長(zhǎng)29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
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2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析
- 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支:半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè),根據(jù)功能的不同,集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析 國(guó)內(nèi)開(kāi)始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)模化,中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機(jī)遇?! “雽?dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM 市場(chǎng)
TrendForce:DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據(jù)TrendForce最新研究顯示,盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱,但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì),并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象,使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,部分DRAM供貨商已開(kāi)始有較明確的降價(jià)意圖,尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力,此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%,擴(kuò)大至近10%,若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況,跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望,且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上,除非有極大的價(jià)格
- 關(guān)鍵字: TrendForce DRAM
TrendForce:第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3~8%
- 據(jù)TrendForce研究,盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐,第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響,進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升,成為第三季DRAM價(jià)格下跌3~8%的主因,且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過(guò)8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存,采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí),由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求,因此即便
- 關(guān)鍵字: TrendForce DRAM
SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片,從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算(accelerated computing)SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
- 關(guān)鍵字: SK海力士 英偉達(dá) HBM3 DRAM
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎?
- 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問(wèn)題之前,我
- 關(guān)鍵字: DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出,爭(zhēng)取韓系DRAM廠退出后的市占率,推升營(yíng)收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開(kāi)發(fā)的20奈米DRAM制程,將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn),為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長(zhǎng)動(dòng)能,同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)、電動(dòng)車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢(shì)強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升,SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn),季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高,歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高,每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
- 關(guān)鍵字: DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ,作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比,新開(kāi)發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級(jí)版本,以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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