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          非易失性存儲器和易失性存儲器的對比

          •   非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?!   ≡诤芏嗟拇鎯ο到y(tǒng)的寫操作程序中,內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候,里面的數(shù)據(jù)會丟失,就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅擴(kuò)大至近20%

          • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年12月正值歐美年節(jié)時(shí)期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價(jià)計(jì)算,意味著12月份合約價(jià)與11月份大致持平。主流模組8GB均價(jià)仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價(jià)分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價(jià)已于去年12月開始議定,綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱,以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價(jià)降至55美
          • 關(guān)鍵字: DRAM,價(jià)格  

          晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭 美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

          • 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn),對于兩國沖突的一個(gè)關(guān)鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴,美國謀求新的策略來打擊中國實(shí)現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預(yù)計(jì)晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  聯(lián)電  

          Gartner:三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場

          •   據(jù)BusinessKorea北京時(shí)間1月8日報(bào)道,受內(nèi)存行業(yè)的增長推動,去年全球半導(dǎo)體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營收同比增長38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快。  據(jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場初步報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元,同比增長13.4%。存儲芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大。  三星電子去年的半導(dǎo)體營收達(dá)759
          • 關(guān)鍵字: 三星  半導(dǎo)體  DRAM  

          存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷,2019年如何破局?

          • DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然,內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止,降價(jià)的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時(shí),NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期,以致市場供過于求,價(jià)格連續(xù)走跌。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM   

          看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

          •   每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個(gè)論壇,在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
          • 關(guān)鍵字: DRAM  GAA-FET  

          AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

          •   全球DRAM市場上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ?  DRAM連漲之后持續(xù)下跌  在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過9個(gè)季度之后,內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%,預(yù)計(jì)2019年還會繼續(xù)跌20%。  受此影響,全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          DRAM降價(jià)將會比預(yù)期更猛,明年對于存儲器來說將是難熬的一年

          •   DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然,內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止,降的時(shí)候看來勢頭會比預(yù)期更狠。  瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報(bào)告,雖然維持美光公司的中性評級,但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價(jià),從52美元砍至41美元。他不看好美光股價(jià)的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價(jià)幅度要高于預(yù)期,之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價(jià)格降幅達(dá)到10-15%,而且NAND閃存價(jià)格也會降10-15%?! 〈饲埃珼RAMeXchang
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

          唇亡齒寒?臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必受中美貿(mào)易戰(zhàn)波及

          •   根據(jù)臺灣11月27日首度公布的報(bào)告顯示,由于大陸出口美國的產(chǎn)品,半數(shù)以上已被征稅,導(dǎo)致大陸制造商購買設(shè)備零件的意愿轉(zhuǎn)趨保守,臺灣機(jī)械訂單對大陸出口下滑,10月減少6.7個(gè)百分點(diǎn)?! ∨_灣經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處長林麗貞20日指出,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)接單已經(jīng)受到美中貿(mào)易摩擦影響。今年上半年基本金屬接單很旺,但近期接單成長明顯下滑,10月僅年增3.7%,為連續(xù)三個(gè)月呈個(gè)位數(shù)成長?! ∷M(jìn)一步表示,一旦中美貿(mào)易摩擦影響到全球經(jīng)濟(jì),恐會導(dǎo)致終端需求減少?! 〈送猓懈叨耸謾C(jī)銷售不如預(yù)期,恐會使未來資訊通信產(chǎn)品及電子產(chǎn)品接單受到影響
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM三巨頭或遭中國反壟斷處罰25億美元!韓國半導(dǎo)體夢將破滅

          • 國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局日前表示已對三星,海力士,美光公司進(jìn)行反壟斷調(diào)查。如果被認(rèn)定存在壟斷行為,將面臨天價(jià)罰款,這一數(shù)字或?qū)⑹敲考?5億美元
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

          • 存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,無論對于晉華、長江存儲還是長鑫,技術(shù)來源都是首先要解決的問題,無論技術(shù)授權(quán)、合作開發(fā),還是自主研發(fā),只有從技術(shù)源頭掌握關(guān)鍵技術(shù),才能避免被卡脖子。
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  

          好景不再,DRAM價(jià)格2019年或下滑20%

          •   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都是以美元計(jì)價(jià),所以國內(nèi)半導(dǎo)體廠都會設(shè)立境外公司來降低匯率變動帶來的壓力。以晶圓代工龍頭臺積電來說,已在上次董事會核準(zhǔn)在額度不超過20億美元范圍內(nèi),對臺積電在英屬維京群島設(shè)立的百分之百持股子公司TSMCGlobalLtd.增資,以降低外匯避險(xiǎn)成本。  南亞科董事會昨(12)日亦決議在10億美元額度內(nèi),成立100%持股的境外子公司以降低外匯避險(xiǎn)成本。特別是DRAM價(jià)格都以美元計(jì)價(jià),而且匯率變動會直接影響DRAM廠財(cái)報(bào)表現(xiàn),降低匯率波動影響自然有助于營運(yùn)不致于出現(xiàn)過多業(yè)外變數(shù)?! τ贒RAM市
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          被“禁”的晉華將何去何從?下個(gè)目標(biāo)會是誰?

          • 晉華被禁這也只是一個(gè)“導(dǎo)火索”,其根源還是美國希望扼制中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
          • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  

          技術(shù)變革關(guān)鍵期,中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)?

          •   存儲器是信息系統(tǒng)的核心芯片,對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展,引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長,對存儲器的需求也在不斷增加。2017年,我國僅存儲器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元?! 〗眨诙弥袊叨诵酒叻逭搲匍_。以“存儲器產(chǎn)業(yè):在開放與競爭中成長”為主題,與會專家對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進(jìn)行了探討:當(dāng)前,存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期。既要推動現(xiàn)有主流存儲器技術(shù),產(chǎn)品的應(yīng)用發(fā)展,也要在新興存儲器方面有超前考慮,力爭為我國企業(yè)在存儲器領(lǐng)域
          • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

          濫用出口管制條例,美商務(wù)部禁售晉華傷了誰?

          •   當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一下午,美國商務(wù)部突然發(fā)難,以威脅國家安全為由,將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實(shí)施緊急禁售令,禁止美國企業(yè)向后者出售零部件、軟件和技術(shù)產(chǎn)品。美國商務(wù)部稱,福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為,給美國帶來了嚴(yán)重風(fēng)險(xiǎn)(Significant risk),并表示晉華即將完成大幅增產(chǎn)計(jì)劃,其動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)產(chǎn)量顯著上升,此舉長遠(yuǎn)威脅到美國DRAM芯片對軍方的供應(yīng)穩(wěn)定性。這是今年繼中興以來,美國政府對中國半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)施的第二例禁售,相比中興,對晉華的指控和制裁顯得尤為無理?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: DRAM  芯片  
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          dram介紹

          DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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