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三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門(mén)檻，克服了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號(hào)線占地超過(guò)128900平方米，相當(dāng)于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5 DRAM
第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車(chē)輛應(yīng)用解決方案
- 日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來(lái)汽車(chē)智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車(chē)載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè)影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車(chē)聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無(wú)人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車(chē)載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車(chē)、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車(chē)輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無(wú)人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來(lái)越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車(chē)輛制造
- 關(guān)鍵字： ADAS NOR DRAM AI V2X EM
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。 圖1. SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長(zhǎng)鑫與3家公司合作
- 6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國(guó)產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導(dǎo)，門(mén)檻太高。合肥長(zhǎng)鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級(jí)別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
- 關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn) DRAM 內(nèi)存 合肥長(zhǎng)鑫
南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級(jí)產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲(chǔ)器大廠南亞科28日召開(kāi)年度股東常會(huì)，會(huì)中董事長(zhǎng)吳嘉昭對(duì)于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(zhǎng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會(huì)議等各項(xiàng)需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因?yàn)楦黜?xiàng)不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問(wèn)題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷(xiāo)貨較2018年減少超過(guò)45%，也使得南亞科在2019年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 10nm 南亞科 DRAM
三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷(xiāo)售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷(xiāo)售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷(xiāo)售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷(xiāo)售額下滑1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲(chǔ)單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲(chǔ)單元（圖1 (a)）在電
- 關(guān)鍵字： DRAM GIDL
三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
- 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開(kāi)始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？
- 據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大牛市 內(nèi)存將連漲7個(gè)季度
- 最近的疫情危機(jī)給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機(jī)Q1季度會(huì)是暴跌50%。不過(guò)內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開(kāi)始就進(jìn)入全球牛市，預(yù)計(jì)會(huì)連漲七個(gè)季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來(lái)。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對(duì)生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起，1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評(píng)估了內(nèi)存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)
- 關(guān)鍵字： DRAM、內(nèi)存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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