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MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。 其
- 關鍵字： MRAM DRAM
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術精進下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成。 報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關鍵字： DRAM NANDFlash
DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀。 在韓國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。 B2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
- 關鍵字： DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價 三星的半導體老大位置懸了
- 據(jù)市調(diào)機構DRAMeXchange公布的調(diào)查報告指，今年以來DRAM內(nèi)存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保?！ 〈鎯π酒瑑r格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段。 作為
- 關鍵字： 三星 DRAM
集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
- 關鍵字： DRAM
DRAM技術再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天
- 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！ 〗邮懿稍L時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。 Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術結合?！ ≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
- 關鍵字： DRAM DDR6
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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