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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高
- 今年內(nèi)存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 全年來看，DRAM市場預(yù)估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點(diǎn)，也是繼1994年成長78%以來最強(qiáng)成長動能。 許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設(shè)備對高效能內(nèi)存的需求大
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南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場強(qiáng)勁成長，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強(qiáng)勁成長逾50%。 展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
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研調(diào)：預(yù)計(jì)2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元
- 縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預(yù)計(jì)2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 IC Insights預(yù)計(jì)2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元，年增長率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快
- 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報告預(yù)估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計(jì)2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長率(CAGR)為7.9%。 在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中，僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。 預(yù)估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達(dá)2
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM
馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計(jì)算機(jī)協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)
- 關(guān)鍵字： RRAM DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報導(dǎo)(見此)，IHS Markit報告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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Yole：供需失衡推動存儲芯片價格上漲，市場年均增長9%
- 存儲器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報告中預(yù)計(jì)，2016~2022年整個存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計(jì)約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價格上漲，導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤! 存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言，每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲器容量將增加
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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作
- 紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)能不好保證
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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