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紫光國(guó)芯:DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平
- 紫光國(guó)芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者提問時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓，有利于更低的功耗。 同時(shí)，關(guān)于公司在國(guó)內(nèi)業(yè)界、排名情況，紫光國(guó)芯介紹，公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國(guó)內(nèi)稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場(chǎng)份額不大。 針對(duì)投資者關(guān)于公司DDR4存儲(chǔ)器芯片相比DDR3優(yōu)勢(shì)的詢問，紫光國(guó)芯作出上述回應(yīng)。 1月26日紫光國(guó)芯在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 DRAM無新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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南亞科：DRAM上半年還會(huì)漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續(xù)看漲，但漲幅會(huì)收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實(shí)際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來看，韓國(guó)二大廠都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 李培瑛表示，服務(wù)器和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM今年市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁，南亞科內(nèi)部預(yù)估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機(jī)搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運(yùn)來臨，刺激電視與機(jī)頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
上演第二梯隊(duì)大逆襲 武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國(guó)家隊(duì)效應(yīng)”
- 武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處，一個(gè)被稱為“黃金大道”的T字形結(jié)構(gòu)的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號(hào)工程”正是在中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技責(zé)任有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)。 2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一期工廠已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在東湖高新區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開始下滑
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開始下滑，跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。 回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(zhǎng)，2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
- 關(guān)鍵字： DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
- 關(guān)鍵字： 5nm DRAM
再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片
- 根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤(rùn)更是高達(dá)98.7億美元，增長(zhǎng)145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片
- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)?jù)路透社報(bào)道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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