dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作
- 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時(shí)表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時(shí)期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期，對全年業(yè)績估計(jì)相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計(jì)，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
數(shù)據(jù)中心需求熱，SK海力士第三季營收大幅增長30.1%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進(jìn)入第四季，在服務(wù)器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價(jià)格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價(jià)格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認(rèn)為，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 創(chuàng)見預(yù)期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應(yīng)求，產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM核心設(shè)計(jì)的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)將發(fā)生什么改變?當(dāng)動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數(shù)據(jù)端點(diǎn)后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點(diǎn)也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點(diǎn)也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 陣列結(jié)
- 關(guān)鍵字： DRAM
0.7納秒！相變存儲器速度新極限
- 隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計(jì)算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點(diǎn)的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。 近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
- 關(guān)鍵字： 相變存儲器 DRAM
蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于新臺幣4
- 關(guān)鍵字： 蘋果 DRAM
三星擴(kuò)產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上20納米以下先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機(jī)搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進(jìn)入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價(jià)格由去年下半年一路漲到今年底，累計(jì)漲幅已將超過1倍。 以4GBDDR4模組合約價(jià)來看，去年第3季平均價(jià)格僅13美元，但今年第4季價(jià)格已大漲至30.5美元，不僅價(jià)格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計(jì)漲幅亦超過1.3倍。想當(dāng)然爾，DRAM價(jià)格大漲也明顯
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于43～4
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
dram相關(guān)帖子
dram資料下載
dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473