e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

不只是充電器！99％的人不知道的事實(shí)：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)

　　過(guò)去的2020年是5G手機(jī)大爆發(fā)的一年。5G手機(jī)無(wú)疑為大家?guī)?lái)了更快的上網(wǎng)體驗(yàn)，更快的下載速度、低延時(shí)，高達(dá)10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機(jī)數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時(shí)更是低至1ms，比4G手機(jī)縮短10倍。　　當(dāng)然，5G對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強(qiáng)的CPU處理性能也對(duì)手機(jī)的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機(jī)廠商為5G手機(jī)配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進(jìn)最新的氮化鎵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在提高充電器功率的同時(shí)，將體積控制得更小巧?！　《@里其實(shí)有一個(gè)有趣的事實(shí)：　　這項(xiàng)為5G手機(jī)帶來(lái)
關(guān)鍵字：氮化鎵 GaN

氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

根據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢(shì)》預(yù)測(cè)的第一大趨勢(shì)是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”。達(dá)摩院指出，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導(dǎo)體材料演進(jìn)圖：資料來(lái)源：Yole, 國(guó)盛證券相對(duì)于第一代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高，其具有臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料，成為高溫、高頻、大功
關(guān)鍵字：氮化鎵 GaN

氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來(lái)看看?！　〉壥堑玩壍幕衔?，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的
關(guān)鍵字：氮化鎵 GaN 充電器

PI打出芯片組合拳解決家電快充應(yīng)用

　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開(kāi)關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?！　?jù)了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個(gè)隔離器件和一個(gè)獨(dú)立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動(dòng)器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨(dú)立半橋功率器件則采用Power Integrations獨(dú)特的600V FREDFET，具有無(wú)損耗的電流檢測(cè)，同時(shí)集成有上
關(guān)鍵字： PI HiperLCS-2芯片組 HiperPFS-5 GaN

ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
關(guān)鍵字： SiC GaN ROHM

ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
關(guān)鍵字： ROHM 150V GaN HEMT

E Ink元太推出新一代全彩電子紙鎖定室內(nèi)商用廣告廣告牌與公共顯示

E Ink元太科技今日宣布，推出新一代E Ink Gallery Plus全彩電子紙模塊，其顯示色域（Gamut）可達(dá)6萬(wàn)的色彩空間，相較原技術(shù)提升色彩對(duì)比約達(dá)40%，對(duì)比度從前一代的10提升至14。E Ink Gallery Plus鎖定零售百貨、餐廳的室內(nèi)商用廣告廣告牌，以及捷運(yùn)、機(jī)場(chǎng)、等領(lǐng)域的公共與信息顯示廣告牌。E Ink Gallery Plus模塊使用基于E Ink ACeP全彩電子紙顯示技術(shù)打造而成，運(yùn)用青色、洋紅、黃色、白色等四種彩色電子墨水粒子，透過(guò)電壓控制、動(dòng)態(tài)地進(jìn)行顆粒組合和混色、實(shí)
關(guān)鍵字： E Ink 元太全彩電子紙

半導(dǎo)體一周要聞3.7-3.11

1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能，全球半導(dǎo)體硅片進(jìn)入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達(dá)到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長(zhǎng)了13%，達(dá)到126.2億美元。目前，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預(yù)計(jì)交易金額分別為1.55億元、8000萬(wàn)元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國(guó)集成電路銷售額首
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 GaN 芯片產(chǎn)能

ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

電源與能源管理對(duì)人類社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對(duì)此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
關(guān)鍵字： ST GaN SiC

安森美剝離晶圓制造廠達(dá)成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標(biāo)是透過(guò)擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國(guó)緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠，安森美將透過(guò)消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來(lái)改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時(shí)為我們的客戶提供長(zhǎng)期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機(jī)
關(guān)鍵字：安森美晶圓制造廠 GaN

Pico Technology發(fā)布基于PicoVNA 108矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的TRL 和自動(dòng)化 E-Cal 校準(zhǔn)件

PicoTechnology（英國(guó)比克科技）?已為其獲得巨大成功的 PicoVNA 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀增加了兩種重要的校準(zhǔn)選件：E-Cal校準(zhǔn)件和 TRL/TRM 校準(zhǔn)件。PicoVNA 108 8.5 GHz 矢量分析儀的現(xiàn)有用戶和新用戶現(xiàn)在可以充分得益于新的選件。PicoVNA 自動(dòng)化校準(zhǔn)件E-Cal矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的所有者和用戶通常會(huì)堅(jiān)持要求提供自動(dòng)化的校準(zhǔn)解決方案。自動(dòng)化校準(zhǔn)的顯著優(yōu)勢(shì)是速度快、效率高和流程簡(jiǎn)單，適用于工作場(chǎng)所中的各種應(yīng)用以及具有不同技能水平的使用者。?還有個(gè)可能不太
關(guān)鍵字： PicoVNA 108 8.5 GHz 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 TRL/TRM 校準(zhǔn)件自動(dòng)化 E-Cal校準(zhǔn)件

基于GaN的高功率密度快充正快速成長(zhǎng)

1? ?看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(zhǎng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線充電、激光雷達(dá)等，其中快充會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的市場(chǎng)成長(zhǎng)。相對(duì)于硅
關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌

ST已經(jīng)做好部署，準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但長(zhǎng)期以來(lái)，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場(chǎng)前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請(qǐng)了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動(dòng)向。
關(guān)鍵字： 202201 GaN

GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(zhǎng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門(mén)的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費(fèi)類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級(jí)研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖從左至右：納微半導(dǎo)體級(jí)的高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘
關(guān)鍵字： GaN 集成 202201

蘋(píng)果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

　　10月19日消息，據(jù)The Verge報(bào)道，蘋(píng)果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?！　∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率。　　此外，蘋(píng)果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋(píng)果中國(guó)官網(wǎng)上架?！　∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
關(guān)鍵字：蘋(píng)果電源適配器 GaN 充電器