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          TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

          •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器,進(jìn)一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
          • 關(guān)鍵字: TI  GaN  

          2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

          •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習(xí)工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
          • 關(guān)鍵字: 機器學(xué)習(xí)  GAN  

          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

          •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團(tuán)隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
          • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電,可傳送高達(dá)300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素,如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點。  BLDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅(qū)動器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  

          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

          GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  
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