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          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素,如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?! LDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅(qū)動器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          在嵌入式設(shè)備中實現(xiàn)AI性能的e-AI技術(shù)

          • 作者 / 筱原 勇二 瑞薩電子管理(上海)有限公司產(chǎn)業(yè)解決方案中心副總監(jiān)  當今AI在很多新聞和展會上都被廣泛提及。AI技術(shù)一般在各種終端設(shè)備的數(shù)據(jù)上傳到云端進行人工智能(AI)分析、做出準確判斷、對終端設(shè)備進行最佳控制,從而進行正確的對話,并進行適當?shù)墓ぷ?。未來幾年AI技術(shù)將會滲透到世界各個角落,讓我們的生活更加便捷?! 《捎谛枰诓煌h(huán)境中實現(xiàn)實時操控,直接在嵌入式設(shè)備進行AI操控就顯得很重要。例如在汽車應(yīng)用中,自動駕駛對于實時性能有強烈的需求,如將大量信息上傳云端處理,速度會非常慢。上傳到到云端并
          • 關(guān)鍵字: AI  瑞薩電子  e-AI技術(shù)  201712  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  

          制造能耗變革從新一代半導體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          PCI EXPRESS兼容性測試簡述

          • 2006年10月,100多名工程師來到地處臺北鬧市區(qū)的Westin酒店。他們不是為新游戲機的發(fā)布,而是為了一件最終對于游戲體驗來說更重要的事情。
          • 關(guān)鍵字: PCI-E  

          第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

          趁著第三代半導體的東風,紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

          GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反。  FET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  
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          e-mode gan fet介紹

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