e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
關(guān)鍵字： OBC GaN 202009

電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無止境

5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情

全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場應(yīng)用。本冊電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

GaN 器件的直接驅(qū)動配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

AMD可能會推出Big Renoir，有更多的CU和PCI-E通道，面向工作站平臺

AMD近日發(fā)布了2020年Q2的財(cái)報(bào)，收入同比上升了26%，錄得了近12年來最高的消費(fèi)級處理器銷量紀(jì)錄，這其中很大一部分要?dú)w功于銳龍4000系列的筆記本處理器，現(xiàn)在的7nm Renoir APU固然強(qiáng)大，但AMD表示今年下半年依然會加速AMD在筆記本方面的業(yè)務(wù)，有消息指出AMD正在準(zhǔn)備一款“Big Renoir”處理器。YouTube頻道Moore's Law Is Dead指出，這個Big Renoir可能是AMD的銳龍PRO移動工作站處理器，與現(xiàn)有的Renoir核心相比，Big
關(guān)鍵字： AMD Big Renoir CU PCI-E

GaN 將能源效率推升至新高度

德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用這項(xiàng)新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計(jì)，致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設(shè)計(jì)流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實(shí)施問題，使客戶得以設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)，建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
關(guān)鍵字： MOSEFT GaN UPS

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
關(guān)鍵字：安世 GaN MOSFET

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

E Ink與義烏清越光電策略合作推動電子紙貨架卷標(biāo)項(xiàng)目

電子紙廠商元太科技(E Ink)今(17)日宣布，義烏清越光電科技有限公司電子紙項(xiàng)目成功投產(chǎn)，正式加入元太電子紙生態(tài)圈伙伴的行列，義烏清越將成為主要供應(yīng)電子紙貨架卷標(biāo)模塊的供貨商，提供終端客戶更多的電子紙模塊伙伴選擇。E Ink協(xié)同生態(tài)圈伙伴發(fā)展電子紙貨架卷標(biāo)模塊「元太科技在電子紙產(chǎn)業(yè)持有領(lǐng)先技術(shù)的優(yōu)勢地位，我們持有完整技術(shù)專利布局，并積極致力于電子紙薄膜技術(shù)研發(fā)?！笶 Ink董事長李政昊表示：「結(jié)合產(chǎn)業(yè)伙伴共同擴(kuò)大推廣電子紙應(yīng)用，是元太科技的重要市場策略之一，我們持續(xù)經(jīng)營電子紙生態(tài)圈伙伴，隨
關(guān)鍵字： E Ink 義烏清越光電電子紙

助力新基建，安世半導(dǎo)體升級GaN產(chǎn)品線

近日，安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應(yīng)用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機(jī)牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。日前，安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
關(guān)鍵字：安世半導(dǎo)體 GaN

瑞薩電子采用人工智能氣味感測技術(shù) 升級ZMOD4410室內(nèi)空氣質(zhì)量監(jiān)控平臺

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布，通過使用嵌入式人工智能（e-AI）技術(shù)擴(kuò)展其廣受歡迎的?ZMOD4410室內(nèi)空氣質(zhì)量（IAQ）傳感器平臺?，可實(shí)現(xiàn)對通風(fēng)系統(tǒng)、浴室等需要空氣質(zhì)量監(jiān)測的場景進(jìn)行智能化微量氣味感測。該升級平臺在如?RL78?等多種微控制器（MCU）內(nèi)，集成了經(jīng)過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練的固件，可提供更高分辨率的檢測結(jié)果。借助這些新功能，ZMOD4410平臺不僅能夠以更高精度和更小元件間偏差來檢測出小型封閉空間內(nèi)的異味氣體，并且能夠區(qū)分基于硫和乙醇
關(guān)鍵字： e-AI TVOC IAQ

電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓?fù)涫且粋€合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
關(guān)鍵字： BOM FET VDD

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN