e-mode gan fet 文章 進入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計
- 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
- 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓撲轉(zhuǎn)換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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ITECH雙向直流電源在動力電池測試中的應(yīng)用
- 我國汽車工業(yè)發(fā)展迅猛，產(chǎn)銷量不斷實現(xiàn)新的突破，與此同時，燃油危機和環(huán)境污染問題也日益加劇，因此大力發(fā)展新能源汽車，以電代油，減少污染氣體排放，成為我國乃至世界汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的方向?！ ∽鳛樾履茉雌嚨膭恿碓?---電池，其性能直接決定了新能源汽車的續(xù)航里程及品質(zhì)，在保證使用安全的前提下，不同溫度下的使用壽命、多次循環(huán)充放電后的衰減等電池性能的測試，是至關(guān)重要的?！ TECH緊跟行業(yè)發(fā)展方向，出臺了一系列的新能源測試方案。其中，IT 6500C系列直流可編程電源不僅可以作為供電源輸出電流，還支持外
- 關(guān)鍵字： IT 6500C 雙向直流電源 動力電池測試 新能源汽車電池 高速雙象限電源 LOOP-MODE
MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構(gòu)的高效設(shè)計，以及頂端和底端安
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