e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
關(guān)鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級(jí)聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國(guó)領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級(jí)共同運(yùn)營(yíng)的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國(guó)新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國(guó)在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國(guó)城際軌道交通系統(tǒng)的快速
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET GaN

砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然，在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
關(guān)鍵字：集成電路微電子氮化鎵器件寬禁帶 IC GaN 202103

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
關(guān)鍵字： GaN FET SiC

在輕度混合動(dòng)力汽車中利用GaN實(shí)現(xiàn)雙電池管理

John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場(chǎng)工程師，部門位于美國(guó)密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實(shí)驗(yàn)室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電氣、混合動(dòng)力汽車和汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊(duì)積極推動(dòng)將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對(duì)氣候變化，汽車減排降油耗勢(shì)在必行。如今，許多國(guó)家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動(dòng)力，即在汽油或柴油車輛的傳動(dòng)鏈中
關(guān)鍵字： GaN 48V

第三代芯片徹底火了！45家公司實(shí)證涉足三代半導(dǎo)體

延續(xù)9月4日以來(lái)的火熱行情，9月17日，A股第三代半導(dǎo)體概念股持續(xù)強(qiáng)勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個(gè)股漲超7%。證券時(shí)報(bào)·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過(guò)深交所互動(dòng)易或公告形式披露公司確有第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導(dǎo)體方面有實(shí)際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導(dǎo)體概念持續(xù)火熱近段時(shí)間以來(lái)，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
關(guān)鍵字：第三代芯片三代半導(dǎo)體 GaN

采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級(jí)及隔離反激拓?fù)浜蠹?jí)的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員 —— 適合智能照明應(yīng)用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時(shí)發(fā)布的新設(shè)計(jì)范例報(bào)告 (?DER-920?) 中，展現(xiàn)了
關(guān)鍵字： GaN IC PWM

面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對(duì)半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場(chǎng)的各類應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
關(guān)鍵字： OBC GaN 202009

電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無(wú)止境

5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)電源管理的前沿趨勢(shì)我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開(kāi)發(fā)熱情

全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

AMD可能會(huì)推出Big Renoir，有更多的CU和PCI-E通道，面向工作站平臺(tái)

AMD近日發(fā)布了2020年Q2的財(cái)報(bào)，收入同比上升了26%，錄得了近12年來(lái)最高的消費(fèi)級(jí)處理器銷量紀(jì)錄，這其中很大一部分要?dú)w功于銳龍4000系列的筆記本處理器，現(xiàn)在的7nm Renoir APU固然強(qiáng)大，但AMD表示今年下半年依然會(huì)加速AMD在筆記本方面的業(yè)務(wù)，有消息指出AMD正在準(zhǔn)備一款“Big Renoir”處理器。YouTube頻道Moore's Law Is Dead指出，這個(gè)Big Renoir可能是AMD的銳龍PRO移動(dòng)工作站處理器，與現(xiàn)有的Renoir核心相比，Big
關(guān)鍵字： AMD Big Renoir CU PCI-E

GaN 將能源效率推升至新高度

德州儀器(TI)是推動(dòng)GaN開(kāi)發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用這項(xiàng)新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計(jì)，致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實(shí)施問(wèn)題，使客戶得以設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)，建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
關(guān)鍵字： MOSEFT GaN UPS