硅基GaN潛力大
近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”
圖1 GaN的巨大潛力
如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
關鍵字：
GaAs GaN
簡介
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
使用壽命預測指標
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數個供貨商所使
關鍵字：
GaN
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
關鍵字：
GaN SiC
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
關鍵字：
SiC GaN
目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
關鍵字：
SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
關鍵字：
GaN EMI
無論LED是經由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅動，連接每一個驅動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數的應用只需要開和關的簡單功能，絕大多數都需要從0～100%去微調亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調節(jié)LED的電流(模擬調光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅動電流從0到目標電流值之間來回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來設定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數字調光的最簡單的方法，原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉換器。
PWM調光能調配準確色光
關鍵字：
PWM FET
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
關鍵字：
英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
關鍵字：
英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
關鍵字：
德州儀器 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
關鍵字：
英飛凌 GaN
英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
關鍵字：
英飛凌 松下 GaN
氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了!
至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
關鍵字：
GaN 射頻
摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。
前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質量高些。
對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
關鍵字：
FET 場效應管 功率放大器
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