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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
分組微波技術(shù)在LTE移動(dòng)回傳網(wǎng)中的應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 分組微波 LTE 移動(dòng)回傳 E-Band 末端接入承載
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙
- 韓國(guó)蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。 由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
Haswell-E處理器真身首曝：八核心終于來(lái)了
- 今年第三季度，Intel將發(fā)布Haswell-E處理器，它是目前IvyBridge-E處理器的繼任者，而且并不是簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單的馬甲。 來(lái)自VR-Zone中文版的消息顯示Haswell-E已經(jīng)確定會(huì)出現(xiàn)八核心的產(chǎn)品，這是Intel首次在桌面平臺(tái)上推出八核處理器。它采用22nm工藝制造，只有X系列和K系列，均支持超頻。其接口雖然還是LGA2011，但卻是最新的LGA2011-3，和目前的LGA2011接口并不兼容。 與之搭配的芯片組是全新的X99，由于接口是LGA2011-3，因此它是不支
- 關(guān)鍵字： Haswell-E 處理器
如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
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