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          Vishay推出4款MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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          友達(dá)光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

          •   友達(dá)光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。   FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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          瞄準(zhǔn)高端市場 友達(dá)將收購FET的部分資產(chǎn)

          •   臺灣友達(dá)科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議,友達(dá)將出資收購FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示,其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利,F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。   FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢,其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
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          砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

          •   Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報(bào)告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%,但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。   一直
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          T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類競爭產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時,還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制,幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而可實(shí)現(xiàn)整個負(fù)載范圍內(nèi)的高
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          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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          嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),目前的各種嵌入式產(chǎn)品已經(jīng)豐富多彩,它們正改變著我們的生活方式。隨著嵌入式產(chǎn)品功能的增加,如何讓用戶對已購買的產(chǎn)品的升級能安全地、順利地完成,避免升級過程中出現(xiàn)的意外掉電所引起的產(chǎn)品故障,這樣的問題要求
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          ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

          •   2009年1月22日,中國北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz,設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
          • 關(guān)鍵字: ADI  運(yùn)算放大器  FET  ADA4817  

          德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: FET  TI  IC-bq2407x  

          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比,該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

          測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

          • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價值...
          • 關(guān)鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

          TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

          •   TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ~6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz,以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
          • 關(guān)鍵字: TI   轉(zhuǎn)換器  DC/DC  FET  

          Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

          •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
          • 關(guān)鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

          研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

          •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長的。???????   “對實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說,在200mm硅晶圓上生長出
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

          如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

          •   要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng),之后被3
          • 關(guān)鍵字: 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  
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          e-mode gan fet介紹

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