e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器
- 實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz，支持芯片級設(shè)計，通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
基于FPGA的PCI Express應(yīng)用平臺設(shè)計
- 傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用平臺是基于PCI總線設(shè)計實現(xiàn)的。PCI總線是并行共享總線，具有數(shù)據(jù)傳輸速率慢等缺點。隨著點對點高速串行PCI Express(Peripheral Component Int erconnect Express，PCI—E)總線的發(fā)展，基于
- 關(guān)鍵字： 現(xiàn)場可編程門陣列 PCI―E WDF
手機外殼的Pro／E模具設(shè)計與Master CAM數(shù)控加工
- 摘要：利用Pro/E Wildfire4.0進(jìn)行模具設(shè)計，結(jié)合Master CAM 5X進(jìn)行數(shù)控加工，選擇手機外殼零件，綜合應(yīng)用野火版Pro/E和Master CAM軟件完成模具設(shè)計與制造過程采用CAD/CAM技術(shù)完成手機外殼的模具設(shè)計及型芯模具零件
- 關(guān)鍵字： 手機外殼 Pro／E Master CAM 模具設(shè)計 數(shù)控加工
中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞
- 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 GaN
英特爾Broadwell-E據(jù)稱推遲到2016年 Skylake-S已經(jīng)
- 英特爾喜歡為每一個新的CPU架構(gòu)推出數(shù)款發(fā)燒級產(chǎn)品。例如最近我們看到英特爾推出的Haswell-E產(chǎn)品線，這是普通Haswell產(chǎn)品發(fā)布一年之后的發(fā)燒級產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 Broadwell-E Skylake-S
PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)明年發(fā)布 PCI-E 5.0正在規(guī)劃
- PCI-E 2.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布四年后的2010年，PCI-E 3.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范歷經(jīng)磨難終于正式誕生，距今已經(jīng)長達(dá)六年，在快速發(fā)展的科技行業(yè)內(nèi)有些不可思議。 其實這些年里，PCI-E 4.0也曾多次被人提及，但一直只是個概念，而根據(jù)PCI SIG組織的最新規(guī)劃，PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)將在2017年正式發(fā)布。 和以往歷代標(biāo)準(zhǔn)一樣，PCI-E 4.0的主要使命也是繼續(xù)提速，數(shù)據(jù)傳輸率將從PCI-E 3.0 8GT/s翻番到16GT/s。 事實上，PCI-E 3.0能達(dá)到這么高的速度是費了老鼻子勁
- 關(guān)鍵字： PCI-E
以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
- 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 根據(jù)電流流動的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。 半導(dǎo)體的電流流通原理 (1) N型半導(dǎo)體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) FET
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
- 關(guān)鍵字： GaN LED
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
- 關(guān)鍵字： GaN 藍(lán)光LED
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