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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法
- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī)，當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
- 關(guān)鍵字： P-FET MOSFET
Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)
- 2014年3月17日Silego于美國(guó)加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?！ LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙
- 韓國(guó)蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。 由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
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- 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
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