e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應(yīng)用來說，完全不依賴純電池設(shè)計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應(yīng)用。相反，設(shè)備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護(hù)措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標(biāo)準(zhǔn)是為了確保用電設(shè)備即使在電源或負(fù)載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設(shè)計者必須不斷提地
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基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應(yīng)用場景
- PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻(xiàn) ，包括實現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動人工智能
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e絡(luò)盟最新一期《e-TechJournal》引領(lǐng)讀者踏上可持續(xù)出行之旅
- 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟的電子雜志《e-TechJournal》推出最新一期，主題為“賦能未來”，現(xiàn)在即可免費下載。e絡(luò)盟是一家電子元器件及工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計、維護(hù)和維修產(chǎn)品與技術(shù)的分銷商，專注快速與可靠交付。通過深入探討電動汽車充電技術(shù)（從汽車牽引逆變器到電池管理）的發(fā)展，帶領(lǐng)讀者踏上可持續(xù)出行之旅?！秂-TechJournal》第六期的文章包含以下主題：●? ?汽車牽引逆變器系統(tǒng)的市場現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展●? ?電動汽車充電和電池管理，以確保最佳性
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCP
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
- 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現(xiàn)了最佳折衷，這對于要求嚴(yán)格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要，同時在緊湊的封裝中實現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
- 關(guān)鍵字： Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化鎵器件 GaN
面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù)，有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測準(zhǔn)確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。生物場效應(yīng)管將生物響應(yīng)轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據(jù)設(shè)備上的終端數(shù)量，可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電
- 當(dāng)?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應(yīng)用到實際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關(guān)耐壓上限
- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關(guān)的應(yīng)用填補了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個的市場應(yīng)用中
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器,用于電動自行車、機器人和無人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應(yīng)用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
- 關(guān)鍵字： CGD 群光電能 GaN 生態(tài)系統(tǒng)
巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計
- 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅(qū)動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設(shè)計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設(shè)計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現(xiàn)更高的功率密度。然
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