e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評估板在貿(mào)澤開售
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異,同時(shí)減少了組件總數(shù),節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩
- 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤電子 GaN 半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)
Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì),可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測試。GaN 器件是耗盡型 FET,運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進(jìn)行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負(fù)柵極電壓,以保護(hù)器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
- 關(guān)鍵字: GAN PA
學(xué)貫中西(8):從GAN領(lǐng)悟人機(jī)協(xié)同創(chuàng)新之道
- 1 回顧:GAN里的兩個(gè)角色在上一期里,詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個(gè)角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一 張圖像的真或假,然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn),止于完美逼 近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機(jī)器與機(jī)器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
- 關(guān)鍵字: 202206 GAN 人機(jī)協(xié)同
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè),為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺(tái)。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
- 關(guān)鍵字: GaN 宜普
貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
- 關(guān)鍵字: SiC FET
毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品
- 5G 通信正在改變我們的生活,同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場機(jī)會(huì),例如實(shí)現(xiàn)創(chuàng)建人與機(jī)器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實(shí)現(xiàn)安全的自動(dòng)駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實(shí)現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機(jī)器人共存的世界里,更強(qiáng)的連接可以改善人機(jī)互動(dòng),并降低事故風(fēng)險(xiǎn)。● 提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實(shí)施遠(yuǎn)程監(jiān)測,進(jìn)行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
- 關(guān)鍵字: 202206 毫米波 5G GAN
第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級
- 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測,到2023 年,5G 用戶數(shù)量將達(dá)10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15%的全球手機(jī)流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對于整個(gè)第三代半導(dǎo)體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN),5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用,涵蓋移動(dòng)通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)微波通
- 關(guān)鍵字: 202206 第三代半導(dǎo)體 GaN
TI:運(yùn)用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺(tái)灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴(kuò)建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率」為題,分享設(shè)計(jì)工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達(dá)成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運(yùn)算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強(qiáng)調(diào),
- 關(guān)鍵字: TI GaN 數(shù)據(jù)中心 能源效率
學(xué)貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)
- 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項(xiàng)有趣應(yīng)用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻(xiàn)。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進(jìn)行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
- 關(guān)鍵字: 202205 生成對抗網(wǎng)路 GAN
UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
- 關(guān)鍵字: Mentor P Qorvo SiC FET
UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
- 關(guān)鍵字: SiC FET
射頻硅基氮化鎵:兩個(gè)世界的最佳選擇
- 當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時(shí),信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO(mMIMO)系統(tǒng)的推動(dòng)下,基站無線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加,移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商在降低資本支出和運(yùn)營支出方面面臨的壓力更加嚴(yán)峻。因此,限制設(shè)備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機(jī)快充到電動(dòng)汽車,氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無限
- 近期,蘋果“爆料大神”郭明錤透露,蘋果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器,最高支持30W快充,同時(shí)采用新的外觀設(shè)計(jì)。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比,蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月,伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布,蘋果推出了140W USB-C電源適配器(下圖),這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器,售價(jià)729元。圖片來源:蘋果 如今,蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器,氮化鎵功率半導(dǎo)體市場有望迎來高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機(jī)等快充需求上升,氮化鎵功率市場規(guī)模將達(dá)1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)
- EETOP編譯整理自techinsights 在處理氮化鎵(GaN)時(shí),與硅(Si)相比,還有兩個(gè)額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?! ∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道,GaN具有快速開關(guān)的潛力。 氮化鎵的導(dǎo)熱性相對較差。(在300K時(shí)約1.3W/cm.K,而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅(SiC)為3.7W/cm.K) 雖然體積熱導(dǎo)率并不明顯低于硅,但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個(gè)小區(qū)域。漸進(jìn)式的改進(jìn) 雖然不理想,但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 GaN
氮化鎵集成方案如何提高功率密度
- 氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?0Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和電動(dòng)汽車(EV)充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)施。在許多具體應(yīng)用中,由于GaN能夠驅(qū)動(dòng)更高的功率密度和具有更高的效率,因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能,使得使用GaN元件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?! aN場效應(yīng)晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強(qiáng)型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等三種類型,并且每種都具有各自的
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e-mode gan fet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對e-mode gan fet的理解,并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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