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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
WiSA推出兩款功能強(qiáng)大的新工具,用于實(shí)現(xiàn)、管理和測(cè)試WiSA技術(shù)支持的產(chǎn)品
- 美國(guó)俄勒岡州比弗頓市 — 2023年7月25日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂(lè)系統(tǒng)提供沉浸式無(wú)線(xiàn)聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司(NASDAQ股票代碼:WISA)宣布推出兩款新工具,供公司客戶(hù)使用,旨在簡(jiǎn)化采用WiSA E和WiSA DS的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和制造。新的WiSA Server與新的產(chǎn)品支持工程工具(Product Support Engineering Tool,PEST)相結(jié)合,可以加快產(chǎn)品上市時(shí)間,并對(duì)測(cè)試和制造過(guò)程的其
- 關(guān)鍵字: WiSA WiSA E WiSA DS 多聲道音頻
SEMI-e 2024第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展定檔6月26-28日
- 當(dāng)前,人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用發(fā)展帶動(dòng)算力、存儲(chǔ)、芯片和AI服務(wù)器等需求成倍增長(zhǎng),以光伏為主的新能源汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛、智能制造、智能物聯(lián)、AI醫(yī)療等領(lǐng)域的發(fā)展更是帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)芯片的需求。預(yù)計(jì)未來(lái)五年,中國(guó)在儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、光伏、工控等細(xì)分領(lǐng)域?qū)⒈3指咴鲩L(zhǎng)和高市場(chǎng)占有率。為進(jìn)一步升級(jí)產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動(dòng)模式,2024第六屆SEMI-e 深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)定檔于2024年6月26日-6月28日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)舉行!為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接、雙向奔赴的平臺(tái),探索半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
- 關(guān)鍵字: SEMI-e 深圳國(guó)際半導(dǎo)體展
ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì),對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字: ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
實(shí)測(cè)案例:1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試
- 氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表,具有極快的開(kāi)關(guān)速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時(shí),極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求,稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng),研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應(yīng)用市場(chǎng)。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠(chǎng)家。這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK,在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義,傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
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汽車(chē)芯片,有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢(shì),勢(shì)必帶動(dòng)車(chē)用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升,其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體,車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車(chē)的重要組件,無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體,混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%,純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規(guī)模擬芯片,模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應(yīng)用,包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS,主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今,新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 SiC GaN 模擬芯片
更小、更快、更節(jié)能,半導(dǎo)體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”,這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲(chǔ)、搜索和分析越來(lái)越復(fù)雜,這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能,以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FE-FETs)是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì),在其中植入場(chǎng)效應(yīng)和電荷積累,實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢(shì)。因此,一個(gè)成功的FE-FET設(shè)計(jì)可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體芯片 FE-FET
e絡(luò)盟與E-Switch簽署授權(quán)分銷(xiāo)協(xié)議
- 中國(guó)上海,2023年6月20日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟與E-Switch簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議。由此,e絡(luò)盟將為歐洲、中東和非洲地區(qū)以及亞太地區(qū)客戶(hù)一站式供應(yīng)E-Switch全系機(jī)電開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,方便快捷且品質(zhì)可靠。 E-Switch擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品線(xiàn)之一,包括輕觸開(kāi)關(guān)、翹板開(kāi)關(guān)、按鈕開(kāi)關(guān)、防破壞開(kāi)關(guān)、電容式開(kāi)關(guān)、檢測(cè)開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、鍵鎖開(kāi)關(guān)、導(dǎo)航開(kāi)關(guān)、旋鈕開(kāi)關(guān)、旋轉(zhuǎn)DIP開(kāi)關(guān)、滑動(dòng)開(kāi)關(guān)、快動(dòng)開(kāi)關(guān)、傾斜開(kāi)關(guān)、撥動(dòng)開(kāi)關(guān)和觸發(fā)開(kāi)關(guān)等品類(lèi)。 通過(guò)新增E-Swit
- 關(guān)鍵字: e絡(luò)盟 E-Switch
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字: Transphorm SuperGaN FET 驅(qū)動(dòng)器
WiSA Technologies開(kāi)始接受WiSA E多聲道音頻開(kāi)發(fā)套件的預(yù)訂
- 美國(guó)俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月13日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂(lè)系統(tǒng)提供沉浸式無(wú)線(xiàn)聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司(NASDAQ股票代碼:WISA)宣布:該公司現(xiàn)在正在接受其WiSA E開(kāi)發(fā)套件的預(yù)訂。WiSA E使用Wi-Fi頻段的5GHz部分,在合理實(shí)惠的價(jià)格點(diǎn)上提供高性能、高質(zhì)量的無(wú)線(xiàn)音頻傳輸和接收功能?!拔覀円呀?jīng)感受到市場(chǎng)對(duì)我們WiSA E技術(shù)的強(qiáng)烈需求,”WiSA Technologies業(yè)務(wù)發(fā)展和戰(zhàn)略副總裁
- 關(guān)鍵字: WiSA WiSA E 多聲道音頻
第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn),誰(shuí)將受益?
- “現(xiàn)在的新車(chē),只要能用碳化硅的地方,便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠(chǎng)意法半導(dǎo)體(ST)曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當(dāng)下,在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中,第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢(shì)成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅(jiān)定下注,一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭(zhēng)奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(zhǎng)期近日,科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 SiC GaN
泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度
- 中國(guó)北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行,并能夠無(wú)縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 泰克 示波器 雙脈沖測(cè)試 SiC GaN
Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
- 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體,領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統(tǒng),以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比,這些應(yīng)用可受益于1
- 關(guān)鍵字: Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關(guān)型 氮化鎵.三相電力系統(tǒng)
使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類(lèi)封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
- 關(guān)鍵字: Qorvo 開(kāi)爾文 FET
EPC起訴英諾賽科,要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專(zhuān)利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州,埃爾塞貢多)-- 氮化鎵(GaN)技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司)于今日向美國(guó)聯(lián)邦法院和美國(guó)國(guó)際 貿(mào)易委員會(huì)(U.S. International Trade Commission, ITC)提起訴訟,主張其基礎(chǔ)專(zhuān)利組合中的 四項(xiàng)專(zhuān)利受到英諾賽科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下統(tǒng)稱(chēng)英諾賽科)侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
- 關(guān)鍵字: 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間
- 2023?年?5?月?19?日,中國(guó)——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品,適合最大功率100W和65W的單開(kāi)關(guān)管準(zhǔn)諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個(gè)尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計(jì)和其他工業(yè)應(yīng)用的開(kāi)關(guān)式電源(SMPS)。?每個(gè)器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 GaN 功率轉(zhuǎn)換芯片
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