e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
E INK透露電子墨水屏新技術(shù) 柔性屏Kindle將于2014年發(fā)布
- 今天E Ink公司項目經(jīng)理Giovanni Mancini向外媒CNET展示了公司即會推廣到Kindle，Nook和索尼Reader上的新電子墨水顯示技術(shù)。首先新技術(shù)改善減少了重影的次數(shù) (在翻頁后依然殘留部分文字)，這樣你就不需要頻繁的進(jìn)行刷新操作。目前的設(shè)備往往翻六七頁之后就需要進(jìn)行一次刷新，而新技術(shù)有望達(dá)到100頁。 Mancini表示目前還不能分享這項技術(shù)的更多的細(xì)節(jié)，但是將會于今年年底之前搭配在Kindle等設(shè)備上進(jìn)行發(fā)售。 Mancini表示目前電子墨水顯示屏技術(shù)已經(jīng)比較成熟，這
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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三菱化學(xué)計劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
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傳聞：Intel將在第四季度推出Ivy Bridge-E
- 自從Intel推出Sandy Bridge-E處理器以來，已經(jīng)過去了14個月了。原本計劃于今年推出的Ivy Bridge-E卻又一再延期，根據(jù)Fudzilla的消息該芯片將再次跳票。該網(wǎng)站的消息來源稱，Ivy Bridge-E原本應(yīng)在第三季度推出，但目前的情況是，這款設(shè)備將在第四季度推出。英特爾Haswell處理機(jī)將在6月份正式上市，而Ivy Bridge-E應(yīng)該是Haswell后的又一個產(chǎn)品，但是根據(jù)目前的情況來看，Ivy Bridge-E的推出并沒有一個非常清晰的時間表。 據(jù)消息稱，Hasw
- 關(guān)鍵字： Intel 處理器 Ivy Bridge-E
eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
- 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角
- 采用Si基板降低成本，通過改變構(gòu)造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
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奧迪全系車型 將搭載“純電動”驅(qū)動系統(tǒng)
- 新能源已經(jīng)成為汽車產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展方向，在經(jīng)過混合動力的過渡后純電動技術(shù)將會逐漸進(jìn)入成熟期。一直在輕量化與節(jié)能減排方面持續(xù)投入的奧迪自然會特別看重這方面的研發(fā)，其特有的e-tron電動技術(shù)已經(jīng)逐漸開始進(jìn)入到應(yīng)用階段。一汽-大眾奧迪銷售事業(yè)部執(zhí)行副總經(jīng)理葛樹文在去年曾表示：“到2020年之前，奧迪的各細(xì)分產(chǎn)品中都將有e-tron車型?！焙茱@然，未來的5-10年將成為奧迪純電動技術(shù)的高速發(fā)展期。 奧迪R8 e-tron抗衡寶馬i8 未來全系車型有望分享技術(shù) 奧迪首款純電動
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電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
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大眾后年將在中國生產(chǎn)電動車
- 大眾計劃截至2016年，為中國的合資公司投入140億歐元，使產(chǎn)能在2018年達(dá)到400萬輛，并為其全資子公司投入10億歐元。大眾中國總裁海茲曼表示：“更重要的是，大眾把中國視為實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新和在環(huán)境方面可持續(xù)發(fā)展的核心區(qū)域。在產(chǎn)品方面，我們的可持續(xù)發(fā)展技術(shù)和E-Mobility已經(jīng)來到這里，我們計劃2014~2015年在中國生產(chǎn)電動車。大眾汽車還將在中國本土生產(chǎn)先進(jìn)的插電式混合動力汽車?！睆拿髂觊_始，大眾還將把“Think Blue. 藍(lán)?創(chuàng)未來”工廠理念
- 關(guān)鍵字： 大眾 E-Mobility 電動車
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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