e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

GaN 時代來了？

隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功
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基于安森美 FSL4110在 E-meter電源管理中的應(yīng)用方案

電力行業(yè)是關(guān)系國計民生的基礎(chǔ)能源產(chǎn)業(yè)。隨著全球經(jīng)濟(jì)的穩(wěn)步發(fā)展及人民生活水準(zhǔn)的逐步提高，各國對電力的需求急速增加，要求各國持續(xù)加大電力基礎(chǔ)設(shè)施投資力度，從而帶動電網(wǎng)建設(shè)。在新能源技術(shù)、智能技術(shù)、資訊技術(shù)、網(wǎng)路技術(shù)不斷創(chuàng)新突破的條件下，智能電網(wǎng)成為全球電力能源輸配電環(huán)節(jié)發(fā)展的必然選擇，全球掀起一片智能電網(wǎng)建設(shè)熱潮。智能電表和用電資訊采集系統(tǒng)產(chǎn)品作為智能電網(wǎng)建設(shè)的關(guān)鍵終端產(chǎn)品之一，對于電網(wǎng)實現(xiàn)資訊化、自動化、互動化具有重要支撐作用，隨著智能電網(wǎng)投資的快速增長，其市場和盈利空間亦快速拓展。智能電表是一種新型
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）

【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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六大展區(qū)聚勢來襲,SEMI-e 掀半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)“芯” 浪潮

第五屆深圳國際半導(dǎo)體展即將于5月16-18日于深圳國際會展中心重磅啟幕！作為半導(dǎo)體行業(yè)重要的交流展示平臺，深圳國際半導(dǎo)體展已經(jīng)成功舉辦了四屆，受到了行業(yè)內(nèi)外的廣泛關(guān)注和好評。本屆展會以“芯機(jī)會?智未來”為主題，聚焦半導(dǎo)體全品類供應(yīng)鏈，展示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的芯片設(shè)計及制造、集成電路、封測、材料及設(shè)備、5G新應(yīng)用、新型顯示等領(lǐng)域的最新技術(shù)和成果，凸顯中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿蛯嵙?。展會同期舉辦第七屆深圳國際電子與工業(yè)智造展，雙展聯(lián)動，實現(xiàn)電子行業(yè)供應(yīng)鏈資源互補(bǔ)，加速電子產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合。500+參展企
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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釋放下一代車輛的無限潛力

車輛自動化趨勢是汽車行業(yè)的一個熱門話題，盡管新冠疫情期間行業(yè)面臨諸多挑戰(zhàn)，但近年來自動駕駛功能背后的顛覆性技術(shù)已經(jīng)取得巨大進(jìn)步。今年早些時候，麥肯錫公司發(fā)布的一份報告表明先進(jìn)的汽車自動駕駛功能不僅為消費者或制造商帶來巨大的增長潛力，還有望革新交通運輸行業(yè)乃至整個社會。這一趨勢在2023年國際汽車展上尤為明顯，萊迪思在展會上與其他行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者一起探索了汽車行業(yè)的最新創(chuàng)新成果，包括萊迪思技術(shù)如何幫助我們的客戶進(jìn)行創(chuàng)新并加快其設(shè)計開發(fā)。萊迪思展臺展示了各類汽車級解決方案的最新演示，可用于打造基于萊迪思低功耗FPG
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621

前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會導(dǎo)致信號傳輸?shù)牟▌印＝?，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；集成化的
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
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WiSA Technologies開始向先期測試客戶交付WiSA E多聲道音頻功能開發(fā)工具套件

為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司近日宣布：向首批開發(fā)多聲道音頻系統(tǒng)的領(lǐng)先音頻品牌交付其WiSA E開發(fā)工具套件。WiSA?E使用Wi-Fi頻段的5GHz部分，能夠以合理的價格提供高性能、高質(zhì)量的無線音頻傳輸和接收功能。“WiSA E是我們最新推出的性能最高的軟件解決方案，其設(shè)計目標(biāo)是在當(dāng)今擁擠的Wi-Fi環(huán)境中實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的多聲道高性能音頻傳輸，”WiSA Technologies業(yè)務(wù)發(fā)展和戰(zhàn)略副總裁Tony Parker表示。
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倍捷連接器收購IP&E供應(yīng)商Testco Inc.

倍捷連接器（PEI-Genesis）總裁兼首席執(zhí)行官Steven Fisher正式宣布收購有40年歷史，總部位于加州的連接、被動、和機(jī)電元器件（IP&E）供應(yīng)商Testco Inc.,。Steven Fisher表示：“此次收購將為客戶提供更廣泛的IP&E產(chǎn)品方案。我們是行業(yè)值得信賴的互連專家，本次收購有助于提升我們解決互連問題的能力，更豐富的產(chǎn)品和服務(wù)，會進(jìn)一步加強(qiáng)我們和客戶的合作?！?0年以來，Testco?Inc.?為全球科技公司提供連接、被動、和機(jī)電元器件（IP
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瑞薩電子推出全新汽車級智能功率器件可在新一代E/E架構(gòu)中實現(xiàn)安全、靈活的配電

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，推出一款全新汽車級智能功率器件（IPD），該器件可安全、靈活地控制車輛內(nèi)的配電，滿足新一代E/E（電氣/電子）架構(gòu)的要求。新型RAJ2810024H12HPD采用小型TO-252-7封裝，與傳統(tǒng)的TO-263封裝產(chǎn)品相比，安裝面積減少約40%。此外，新器件的先進(jìn)電流檢測功能可實現(xiàn)對過流等異常電流的高精度檢測。由于全新IPD即使在低負(fù)載時也能檢測異常電流，因而允許工程師設(shè)計高度安全和精確的電源控制系統(tǒng)，甚至可以檢測到最細(xì)微的異常情況。瑞薩電子汽車模擬應(yīng)用特定業(yè)務(wù)部副
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WiSA Technologies將在CES 2023上演示W(wǎng)iSA E 5GHz多聲道音頻軟件

美國俄勒岡州比弗頓 — 2023年1月4日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司（NASDAQ股票代碼：WISA），將在2023年國際消費電子展（CES 2023）上演示其最新的、兼容Wi-Fi的多聲道WiSA E嵌入式軟件音頻技術(shù)。WiSA E使用Wi-Fi頻段的5GHz部分，能夠以合理的價格提供高性能、高質(zhì)量的無線音頻傳輸和接收功能。CES期間的WiSA E演示將基于5GHz Wi-Fi頻段，實現(xiàn)6聲道、5.1沉浸式音頻配置
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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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