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飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET LED

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 鋰離子電池

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。
關(guān)鍵字： Vishay E系列 MOSFET

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識(shí)

日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問(wèn)題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
關(guān)鍵字：飛兆 FDMQ86530L MOSFET

我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)。基于單芯片MAX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)?..
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

　　在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動(dòng)下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國(guó)市場(chǎng)的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國(guó)以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢(shì)好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國(guó)研究專題報(bào)告，今年中國(guó)功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長(zhǎng)3%。去年該市場(chǎng)比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長(zhǎng)將更加強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點(diǎn) 損耗