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	elitesic mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要
          
                                                            
            
                    	
          • b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  光電耦合器                          
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          實現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措
          
                                                            
            
                    	
          • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來有失偏頗，并且如果您的...
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          • 關(guān)鍵字：
                        汽車電子  IR  MOSFET                          
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          雙柵極SET與MOSFET的混合特性
          
                                                            
            
                    	
          • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性　　由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET  ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        雙柵極  SET  MOSFET                          
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          MOSFET柵漏電流噪聲分析
          
                                                            
            
                    	
          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  柵漏電流  噪聲分析                          
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          瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 高級半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)，于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩  MCU  MOSFET                          
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          安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET                          
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          Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?～600m?，將最高電流等級擴(kuò)展至7A～73A。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動器產(chǎn)品系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intersil  MOSFET  驅(qū)動器                          
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          功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：  對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響，并通過仿真和試
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動  變壓器設(shè)計                            
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          Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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          Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅固ORing控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intersil  MOSFET  ISL6146                          
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          同步降壓MOSFET電阻比的選擇
          
                                                            
            
                    	
          • 在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  同步降壓  電阻比                            
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          恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
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          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  LFPAK56D  MOSFET                          
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          意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        意法  晶體管  MOSFET  LED                          
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          如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET                            
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          elitesic mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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