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elitesic mosfet 文章進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列

全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)

摘要：對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計(jì)算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開(kāi)通過(guò)程的影響，并通過(guò)仿真和試
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng) 變壓器設(shè)計(jì)

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固ORing控制器

全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET ISL6146

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
關(guān)鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性;同時(shí)，與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
關(guān)鍵字：恩智浦 LFPAK56D MOSFET

意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車等綠色能源應(yīng)用。
關(guān)鍵字：意法晶體管 MOSFET LED

如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
關(guān)鍵字： MOSFET

估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法

本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔方法

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。　　數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表分析

飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細(xì)介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護(hù)與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實(shí)現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時(shí)，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導(dǎo)體、德州儀器、TI

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車上許多組建的多元應(yīng)用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車上電子
關(guān)鍵字： MOSFET 詳細(xì)介紹如何運(yùn)用安全系統(tǒng)

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算

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