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elitesic mosfet 文章進入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

空間受限型應用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導體、德州儀器、TI

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

詳細介紹如何運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車上許多組建的多元應用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達，不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計人員為了增加車上電子
關(guān)鍵字： MOSFET 詳細介紹如何運用安全系統(tǒng)

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算介紹

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器功耗計算

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

標簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率，很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機
關(guān)鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件汽車電子

MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關(guān)鍵字： MOSFET 雙峰效方法

用于輔助電路分析的示波器數(shù)學功能

關(guān)鍵字：數(shù)字示波器數(shù)學功能輔助電路分析 MOSFET

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應用。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器功耗計算方法

Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA436DJ

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應用

前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
關(guān)鍵字：高效能 Power MOSFET

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護中的應用

鋰離子電池的先進技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
關(guān)鍵字： MHP技術(shù) 鋰電池電路保護 MOSFET

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導參數(shù)

本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗主導參數(shù)

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
關(guān)鍵字：羅姆 MOSFET DC/DC

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