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elitesic mosfet 文章進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
關(guān)鍵字：羅姆 MOSFET DC/DC

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

IR推出車用功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字：情況解析方案相關(guān) MOSFET 電阻下降功率能使導(dǎo)

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析

開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
關(guān)鍵字：介紹分析電路驅(qū)動 MOSFET 開關(guān)電源

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計

目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
關(guān)鍵字：電源設(shè)計簡化封裝芯片功率 MOSFET

中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計趨勢

如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動著新一代汽車的發(fā)展，并...
關(guān)鍵字：智能開關(guān) MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時具有極低PPM 水平。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用如何提高能量

典型功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計方案

功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動保護(hù)電路

MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計與應(yīng)用

摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
關(guān)鍵字：設(shè)計應(yīng)用電路保護(hù) 驅(qū)動 MOSFET

精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
關(guān)鍵字： MOSFET 精確測量導(dǎo)通電阻

IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設(shè)計。
關(guān)鍵字： IR MOSFET PowIRaudio

功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計

鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
關(guān)鍵字：電路設(shè)計保護(hù) 鋰電池 MOSFET 功率

飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

便攜設(shè)備的設(shè)計人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET P溝道

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