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elitesic mosfet 文章進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門(mén)為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門(mén)級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器芯片

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請(qǐng)問(wèn)：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過(guò)一個(gè)比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器-高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇

MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。該器件具...
關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭(zhēng)議會(huì)阻礙數(shù)字控制電源以
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器辦法性能電源提升數(shù)字控制如何

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士德州儀器

電源設(shè)計(jì)小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
關(guān)鍵字：同步降壓 MOSFET 電阻比

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDB9403

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能逆變器、叉車、電動(dòng)工具、代步車，以及ORing和熱插拔應(yīng)用等。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

高壓MOS缺貨晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

　　半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開(kāi)發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。　　恩智浦區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過(guò)高整合LED驅(qū)動(dòng)IC方案確?？蛻粽莆肇浽礋o(wú)虞。　　恩智浦(NXP)區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，20
關(guān)鍵字：恩智浦 LED MOSFET

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦，由Vishay技術(shù)專家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Vishay 電容器電感器 MOSFET

功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

　　前言　　為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。　　而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓，通過(guò)電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換，每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
關(guān)鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

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